Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?
Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже.
Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал.
Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее. ✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать». Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами! Б) скорость роста и кривая роста.
Частица перескакивает из жидкой фазы на поверхность кристалла, преодолевая потенциальный барьер ∆ , ответственный за вязкое течение. Число таких случаев определено частотой термических колебаний ν: ν ж→ кр = ν ∙ exp (-∆ /RT). Число обратных перескоков будет меньше, поскольку частице нужно преодолеть барьер, больший на величину разности свободной энергии жидкости и кристалла (рис. 32)
ν кр→ ж = ν ∙ exp [-(∆ +∆ G(мсж-к))/RT]. Частота «удачных» перескоков, когда частица остаётся на кристалле, равняется разности двух приведенных выше частот событий. Скорость увеличения размера кристалла u определена произведением этой разности частот и расстояния, примерно равного размеру «прилипающего» атома a0: u = a0∙ (ν ж→ кр – ν кр→ ж) = a0∙ ν ∙ exp(-∆ /RT)∙ [1 – exp(-∆ G(мсж-к)/RT)], или, в несколько ином виде u = [1 - exp(- ∆ G(мсж-к))/RT)]. Здесь f – стерический фактор, который может меняться от температуры, вида кристаллов и типа кристаллизации (вида диаграммы состояния), η - вязкость. Очевидно, что при Т = Тпл кристаллы не растут. Из-за противоположного влияния вязкости и переохлаждения кривая u проходит через максимум в интервале Тg – Тпл – рис. 31, кривая u. Обе кривые (для I и u), полученные экспериментально, называются кривыми Таммана (рис. 31). Положение максимума кривой I до конца 70-х годов 20 в. оставалось неопределенным. Иногда полагали, что он расположен намного выше Тg. Однако благодаря работам В.Н.Филиповича, А.М.Калининой, В.М.Фокина (ИХС РАН), см. Неорг. матер. 7, 1844 (1971);, 11, 1305(1975)) было доказано, что максимум кривой I расположен всего на несколько градусов выше Тg (щелочносиликатные стекла). Очевидно, что кристаллизационная способность определена не просто cложением кривых для I и u, а произведением вероятностей одновременных процессов зарождения и роста. Кристаллизационная способность определяет возможность получения стекла без кристаллических включений при выбранной скорости охлаждения расплава. При исследовании кристаллизации следует принимать во внимание важное обстоятельство. Определение кристаллизационной способности может происходить как сразу после отливки стекломассы (без охлаждения расплава до низких температур), так и после того, как стекло было охлаждено. В первом случае зарождения кристаллов, интенсивного при низких температурах, не происходит, и кристаллизационная способность будет ниже, чем в случае промежуточного охлаждения (в последнем случае кристаллы успеют зародиться в большем количестве).
2.2.4 Методы изучения кристаллизационной способности и её
|