Физика твердого тела

1. Удельная электропроводность полупроводника

e (nu_n + pu_p),

где е – заряд электрона; n и p – концентрация носителей заряда (подвижных электронов и дырок); u_n и u_p – подвижности электронов и дырок.

В случае проводимости одного типа одним из слагаемых в выражении (1) можно пренебречь. Для чистого, беспримесного полупроводника проводимость называется собственной и в формуле для следует положить n = p.

2. Зависимость собственной удельной электропроводности полупроводника от температуры

,

где Е – ширина запрещенной зоны полупроводника; – константа, почти не зависящая от температуры; k – постоянная Больцмана.

3. Холловская разность потенциалов равна

U_н = R_н I,

где В – индукция магнитного поля; а – толщина образца; I – сила тока в образце; – постоянная Холла.

4. Для полупроводника с кристаллической решеткой типа алмаза (Ge, Si) с примесной проводимостью одного типа постоянная Холла равна

.