Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Дырочная проводимость






Под действием электрических полей валентные электроны могут переходить на незанятое место, что соответствует встречному перемещению дырок по кристаллу. При этом все рассмотренные в предыдущем разделе формулы, характеризующие движение свободного электрона справедливы и для движения дырки. Только надо сделать поправку на знак заряда. Подвижность дырок:

(2.30)

Следует отметить, что скорость электронов направлена против поля (от минуса к плюсу), а скорость дырок – по полю, от плюса к минусу.

Плотность дырочного тока:

Jp= σ p·E, (2.31)

где σ pдырочная проводимость (Ом∙ см).

Рис. 2.11.
(2.32)

Рассеяние дырок будет проходить также на колебаниях решетки и заряженных примесях и дефектах. Ход температурной зависимости будет аналогичен:

, (2.33)

где μ pr – подвижность при рассеянии на решетке, μ pi – подвижность при рассеянии на ионизированной примеси. Суммарная электропроводность материала определяется общим количеством электронов и дырок:

σ = σ n + σ p = qμ nn + qμ pp = q(μ nn + μ pp). (2.35)

Плотность тока проводимости в кристалле будет равна:

J = Jn + Jp = σ E = (σ n + σ p)E = q(μ nn + μ pp)E. (2.36)





© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.