Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Дырочная проводимость
|
|
Под действием электрических полей валентные электроны могут переходить на незанятое место, что соответствует встречному перемещению дырок по кристаллу. При этом все рассмотренные в предыдущем разделе формулы, характеризующие движение свободного электрона справедливы и для движения дырки. Только надо сделать поправку на знак заряда. Подвижность дырок:
| (2.30) |
Следует отметить, что скорость электронов направлена против поля (от минуса к плюсу), а скорость дырок – по полю, от плюса к минусу.
Плотность дырочного тока:
| Jp= σ p·E, | (2.31) |
где σ p – дырочная проводимость (Ом∙ см).
| |
| Рис. 2.11. | |
| (2.32) |
Рассеяние дырок будет проходить также на колебаниях решетки и заряженных примесях и дефектах. Ход температурной зависимости будет аналогичен:
 , 
| (2.33) |
где μ pr – подвижность при рассеянии на решетке, μ pi – подвижность при рассеянии на ионизированной примеси. Суммарная электропроводность материала определяется общим количеством электронов и дырок:
| σ = σ n + σ p = qμ nn + qμ pp = q(μ nn + μ pp). | (2.35) |
Плотность тока проводимости в кристалле будет равна:
| J = Jn + Jp = σ E = (σ n + σ p)E = q(μ nn + μ pp)E. | (2.36) |
|
|