Фоторезисторы

Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор сопротивление которого изменяется под действием излучения. Принцип устройства фоторезистора поясняется на рис. 7.1.а. На диэлектрическую пластину 1 нанесён тонкий слой полупроводника 2 с контактами 3 по краям. Схема включения фоторезистора приведена на рис 5.1. Полярность источника питания не играет роли.

Если облучения нет, то фоторезистор имеет некоторое большое сопротивление Rт, называемое темновым. Оно является одним из параметров фоторезистора и составляет Ом. При действии излучения с достаточной энергии фотонов на фоторезистор в нём происходит генерация пар подвижных носителей заряда (электронов и дырок) и его сопротивление уменьшается.

Для фоторезисторов применяют различные полупроводники имеющие нужные свойства. Так, например сернистый свинец наиболее чувствителен к инфракрасному, а сернистый кадмий - к видимым лучам.

Фоторезисторы характеризуют удельной чувствительностью.

Sуд = I/(ФU), где Ф - световой поток.

Фоторезисторы имеют линейную вольт – амперную и нелинейную энергетическую характеристику Рис. 7.2.

Рис 7.2. Вольт – амперная а) и энергетическая б) характеристики фоторезистора

К параметрам фоторезисторов кроме темновому сопротивлению и удельной чувствительности следует отнести максимальное допустимое падение напряжения (до 600В). Существенным недостатком надо считать их большую инерционность, объясняющуюся довольно большим временем рекомбинации электронов и дырок после прекращения облучения. Практически фоторезисторы применяются лишь на частотах не выше нескольких сотен герц или единиц килогерц. Тем не менее их применяют в различных схемах автоматики.