Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Тема1.4. Полевые транзисторы






Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом

 

Полевые транзисторы, называемые еще канальными или униполярными и получили широкое распространение.

Полевым транзистором называют полупроводниковый прибор, обладающий усилительными свойствами, которые обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через канал и управляемый поперечным электрическим полем.

В отличие от биполярного действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности – либо только электронами в канале n-типа, либо только дырками в канале p-типа. Поэтому их называют униполярными.

Различают два основных вида полевых транзисторов: с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором.

Рассмотрим устройство и принцип действия полевого транзистора

 

З
З
И
а)
С
З
С
И
Канал n-типа
З
С
И
Канал p-типа
б)

 


 

Рисунок 4.1. Упрощенная структура (а) и условное графическое обозначение полевого транзистора (б)

 

 


Полевой транзистор представляет собой полупроводниковую пластину n-типа, которая имеет на противоположных концах электроды.

Слой полупроводника между этими электродами называют проводящим, через который в проводящий канал втекают носители заряда, называют истоком И, а электрод через который из канала вытекают носители заряда – стоком С. Электрод, на который подается обратное напряжение, создающее электрическое поле для управления протекающим через канал током называют затвором З.

Под действием обратное для p-n-перехода оно создает поперечное по отношению к каналу электрическое поле. Если увеличивать напряжение затвора Uз . и (Е1), то запирающий слой p-n-перехода становится толще и площадь поперечного сечения канала уменьшается.

 

Рисунок 4.2. Схема включения полевого транзистора
Ic
+
+
-
-
З
С
И
Rн
Ic
Е1
Е2
Uвх
p
~
n

 


Следовательно, его сопротивление постоянному току Ro возрастает, и ток стока становится меньше. При некотором запирающем напряжении Uз.и.зап, площадь поперечного канала станет равной нулю и транзистор запирается. При Uз.и. = 0 сечение канала наибольшее, сопротивление Ro – наименьшее, ток стока

ic –максимальный.

Таким образом, принцип действия полевого транзистора основан на изменении проводимости канала за счет колебания ширины p-n-перехода под действием поперечного электрического поля, которое создается напряжением затвор-исток.

Если в цепь затвор-исток последовательно с источником напряжения Е1 включить источник усиливаемых сигналов, а в главную цепь между стоком и истоком последовательно с источником питания Е2 – нагрузку Rн, то будет происходить процесс усиления сигнала. Слабый сигнал вызывает изменения поперечного электрического поля, оно пульсирует с частотой сигнала, что в свою очередь приводит к периодическим расширениям и сужениям сигнала. Это вызывает пульсацию тока Iс и напряжения на нагрузке Rн. Ток Iс и напряжение на выходе больше чем входное напряжение и происходит усиление входного сигнала.

Преимущества полевого транзистора:

- высокое входное сопротивление – до десятков и сотен мОм;

- экономичность по потреблению тока, это связано с тем, что он управляется током, а не напряжением.

- открытие транзистора происходит очень малым напряжением.






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.