💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее.
✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать».
Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами!

Радиоактивность.

Радиоактивностью называется процесс самопроизвольного превращения ядер одного элемента в ядро другого за счет испускания a, b± и g – излучения.

a и b – излучения – это частицы с определенной массой и зарядом; g – излучение(g – квант) – это электромагнитное излучение с очень малой длиной волны, энергия которого равна e_g = h n = ;

a – частицы – это ядра гелия; b – это поток электронов, b+ – поток позитронов.

g – излучение в основном, сопровождает a– и b– излучения, когда дочернее ядро из возбужденного состояния переходит в стационарное.

Основной закон радиоактивного распада выражается так:

N = N₀ e^–lt,

где N₀ – число радиоактивных ядер в момент времени t = 0; N – число радиоактивных ядер, оставшихся нераспавшимися к моменту t.

l – постоянная радиоактивного распада: l = , где Т_1/2– период полураспада.

2. Закон поглощения g –излучения.

Гамма–кванты состоят из фотонов одной энергии или содержат группу фотонов с дискретными значениями энергии. Чаще всего энергия гамма–лучей находится в диапазоне от нескольких КэВ до нескольких МэВ.

Прохождение g –излучения через вещество сопровождается его поглощением. При прохождении поглотителя толщиной x интенсивность J g –лучей уменьшается на J, причем относительная интенсивность поглощения излучения пропорциональна толщине поглотителя:

= –mDх

(1)

где m – линейный коэффициент поглощения.

Если вместо конечной толщины Dх имеем бесконечно малую величину dx, бесконечно малое изменение интенсивности d J, то уравнение (1) примет вид:

= – m dx

(2)

Интегрируя это уравнение, получим

При рассмотрении процесса поглощения гамма–излучения веществом, полезным оказывается понятие о слое половинного поглощения х_1/2.

Слоем половинного поглощения называется толщина поглотителя, в котором поглощается половина падающих на него фотонов.

Эта величина выражается: = е ^–mх

Тогда, логарифмируя, получим:

х =

(4)

До сих пор рассматривали явление поглощения гамма–лучей, не касаясь конкретного взаимодействия гамма–лучей с веществом, обусловливающего процесс поглощения и величину m – коэффициента поглощения.

При прохождении g – лучей через вещество происходит ослабление интенсивности первоначального пучка. Это ослабление интенсивности является результатом взаимодействия g – квантов с электронами и атомами вещества, через которые они проходят.

Практически наиболее существенны три процесса взаимодействия с веществом: фотоэффект, комптоновское рассеяние и образование пар, приводящих к поглощению g – излучения.

а. Ф О Т О Э Л Е К Т Р И Ч Е С К И Й Э Ф Ф Е К Т

Фотоэффектом называется такой процесс взаимодействия g – кванта (фотона) с веществом, при котором g – квант исчезает, полностью передавая свою энергию и импульс электрону и атому. При этом электроны выбрасываются за пределы атома с кинетической энергией

где hn – энергия g – кванта; А_i – работа выхода электрона с i –ой оболочки атома.

Фотоэффект наиболее вероятен в том случае, когда энергия фотона близка к работе выхода А. Именно поэтому ослабление лучей вследствие фотоэффекта играет основную роль при малых энергиях (Еg £ 1 МэВ). Фотоэффект возможен лишь на связанном электроне и не может быть на свободном электроне.

Вероятность фотоэффекта на К –оболочке атома d_фот » при

Е_g > > Ак и d_фот» при Е_g > Ак × (А_к – работа выхода электрона на К – оболочке).

б. К О М П Т О Н О В С К О Е Р А С С Е Я Н И Е

Процесс рассеяния g – квантов на свободных или слабосвязанных электронах называется комптон–эффектом. В результате рассеяния изменяется направление движения g – кванта и уменьшается его длина волны:

Dl = l₂ – l₁

Вероятность комптоновского эффекта при Е_g > > m₀c² (m₀c² – энергия покоя электрона) равна d_комп» .

в. О Б Р А З О В А Н И Е П А Р

Третьим процессом, приводящим к ослаблению g – излучения при прохождении через вещество, является процесс образования пар. Согласно современной теории, падающий g – квант полностью поглощается в области кулоновского поля ядра (или электрона), в результате чего возникает пара частиц: электрон–позитрон. Минимальная энергия фотона, необходимая для образования пары в области поля ядра, равна

Е = 2 Е_0е = 2 m₀ c²

Вероятность образования пары

d_пар» Z⁵ l n E_g

Таким образом, поглощение g – излучения веществом и величина m обусловлена тремя рассмотренными процессами, каждый из которых, в зависимости от энергии g – излучения и свойств поглощающего вещества, вносит свой вклад в значение: m = m_фот + m_комп + m_пар. Величина m_фот, m_комп, m_пар, в свою очередь, определяется описанными выше вероятностями: m» m_фот + m_комп +m_пар.

Описание установки и порядок выполнения работы.

В данной работе необходимо проверить закон поглощения g – излучения в веществе, построить график зависимости изменения интенсивности J g – излучения от толщины поглотителя. По графику определить слой половинного поглощения для g – излучения данной энергии и рассчитать коэффициент линейного поглощения m. В качестве источника излучения используется радиоактивный изотоп С₀⁶⁰ (Е = 1, 17 МэВ).

При выполнении работы используются приборы и принадлежности: радиометр–спектрометр (см. рис. 1); свинцовый домик типа " ТУР 74019 Robotron – masselectrone»; источник g – излучения С₀⁶⁰; набор пластин из оцинкованного железа (см. рис. 1). Радиометр–спектрометр состоит из сцинтилляционного датчика «Stintillation probe type – 484 В» и измерительного пульта «Nuclear analyzer – 482 В». Датчик присоединяется с помощью высоковольтного разъема (1) с измерительным пультом (1) и помещен внутри свинцового домика, напротив источника g – излучения С₀⁶⁰.

Между источником гамма–излучения и сцинтилляционным датчиком в свинцовом домике имеются приспособления для установки пластин, которые служат поглотителем g – излучения. Толщина поглотителя регулируется числом пластин.

1 – высоковольтный разъем датчика

2 – измеритель скорости счетчика и напряжения батарей

3 – переключатель поддиапазонов измерителя скорости счета

4 – дисплей

5 – переключатель дисплея

6 – тумблер Reset–start–star (cбор – пуск – стоп)

7 – переключатель селекции времени измерения

8 – регулятор высокого напряжения

9 – регулятор порога анализатора

10 – регулятор ширины окна анализатора

11 – переключатель режима измерения

12 – тумблер напряжения питания

Порядок выполнения: (см. обозначения на рис. 1 и приборе).

1. Включить сеть (тумблер ОN – 12).

2. Установить высокое напряжение 1200 В на многооборотном патенциометре " High – Vоltage" 400....1400 ® 8.

3. На блоке «Analyzer» – установить тумблер «int– diff» ® 12 в положение «int», ручку потенциометра 2 DE ® 10 в положение 0.0, ручку потенциометра «Е» ® 9в положение 860.

4.Переключатель «rate» ® 3 поставить в положение 3 × 10⁵.

5. Ручку переключателя «time» ® 7 поставить в положение «01».

6. Убедиться, что в свинцовом (защитном) домике нет пластин.

7.Тумблер «reset – start – stop» ® 6 поставить в положение «start». На экране дисплея 4 появится точка (отсчет начался) через 6 секунд (0, 1минуты) на экране дисплея 4 высветится число, соответствующее количеству g – квантов, зарегистрированных детектором (датчиком) в отсутствие поглотителя. Это число n₀ записать в таблицу.

8. Установить в защитный домик 3 пластины и повторить п.7. Записать число n1, которое высветится на экране дисплея. Оно будет соответствовать количеству g – квантов, прошедших 1–й поглощающий слой пластин.

9. Последовательно увеличивать число пластин, устанавливая в домик 6, 9, 12....i пластин и каждый раз повторять п.7, записывая значения n₂, n₃,......n_i c экрана дисплея в таблицу.

10. По результатам измерения построить график зависимости n_i/n₀ = f (i) (по оси координат , по оси абсцисс – число пластин i). По графику определить слой половинного поглощения и вычислить значения m; для этого вычислить толщину поглотителя, соответствующую слою половинного поглощения: = id, где d – толщина пластины (кг/м³).

ПРИМЕЧАНИЕ.

Числа на экране дисплея высвечиваются в течении 4 секунд, если за это время Вы не успели записать показания, то необходимо нажать тумблер «Display» ® 5 вверх и на экране дисплея высветиться это число, оно будет на экране до тех пор, пока Вы не отпустите тумблер.