Расчет напряжения отсечки и напряжения насыщения в ПТ.

Напряжением насыщения называют напряжение сток-исток, начиная с которого ток стока практически не увеличивается при увеличении напряжения сток-исток при за-данном напряжении затвор-исток.

Напряжение отсечки полевого транзистора - это напряжение затвор-исток для транзисто-ров с управляющим p-n переходом и транзи-сторов с изолированным затвором со встро-енным каналом, при котором ток стока до-стигает заданного значения.

При Uзи = 0 сопротивление канала минимально Rk0=ρ l/hw, где ρ – удельное сопротивление полупроводника канала; l, w – длина и ширина канала соответственно, h – расстояние между ме-аллургическими границами n-слоя канала. С увеличением Uзи сопротивление канала увеличивается в соответствии с выражением:

Rk=Rk0/(l-корень(Uзи/Uотс.). При Uзи=Uотс., Rk=бесконечности.

Rk0. Под действием напряжения насыщения через канал протекает ток макси-мальнойвеличины Iсmax=Uси нас /Rкнас

42. Схемы включения ПТ: ОИ, ОС, ОЗ.

Аналогично БТ, в зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим для входной и выходной цепи, различают три схемы включения полевого транзистора.