Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Расчет напряжения отсечки и напряжения насыщения в ПТ.






    Напряжением насыщения называют напряжение сток-исток, начиная с которого ток стока практически не увеличивается при увеличении напряжения сток-исток при за-данном напряжении затвор-исток.

    Напряжение отсечки полевого транзистора - это напряжение затвор-исток для транзисто-ров с управляющим p-n переходом и транзи-сторов с изолированным затвором со встро-енным каналом, при котором ток стока до-стигает заданного значения.

    При Uзи = 0 сопротивление канала минимально Rk0=ρ l/hw, где ρ – удельное сопротивление полупроводника канала; l, w – длина и ширина канала соответственно, h – расстояние между ме-аллургическими границами n-слоя канала. С увеличением Uзи сопротивление канала увеличивается в соответствии с выражением:

    Rk=Rk0/(l-корень(Uзи/Uотс.). При Uзи=Uотс., Rk=бесконечности.

    Rk0. Под действием напряжения насыщения через канал протекает ток макси-мальнойвеличины Iсmax=Uси нас /Rкнас

     

     

    42. Схемы включения ПТ: ОИ, ОС, ОЗ.

     

    Аналогично БТ, в зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим для входной и выходной цепи, различают три схемы включения полевого транзистора.

     






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.