Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Построение нагрузочных характеристик и кривой допустимой мощности. Выбор области безопасного режима.
|
|
– уравнением линии нагрузки
На оси абсцисс отложим отрезок, равный – напряжению источника питания коллекторной цепи, а на оси ординат отложим отрезок, соответствующий максимально возможному току в цепи этого источника:
Между этими точками проведем прямую линию, нащываемую линией нагрузки.Наклон линии нагрузки определяется сопротивлением 
.
В паспортных данных каждого транзистора указывается его предельно допустимая мощность рассеивания, превышение которой недопустимо, так как ведет к тепловому разрушению полупроводниковой структуры. Возьмем это значение мощности 
и, учитывая, что оно равно: 
Будем задавать дискретные значения напряжения 
: 
, 
, 
и т.д. и для каждого этого значения напряжения вычислим предельно допустимое значение коллекторного тока 
: 
Отложим эти значения напряжений и токов в осях координат и построим по полученным точкам кривую, называемую гиперболой допустимых мощностей.
Эта кривая делит всю площадь первого квадранта семейства выходных характеристик на рабочую и нерабочую области. Если теперь совместить эту кривую с выходными характеристиками транзистора, то очевидно, что линия нагрузки не должна выходить за пределы рабочей области, чтобы не вывести транзистор из строя.
|
|