Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП - транзисторы)
|
|
Характерное отличие полевых транзисторов с изолированным затвором состоит в том, что у них между металлическим затвором и областью полупроводника находится слой диэлектрика – двуокись кремния SiO2. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором называются МДП или МОП. Выпускаются МДП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.
В основе действия МДП-транзистора лежит эффект поля, представляющий собой изменение величины и типа электропроводности полупроводника вблизи его границы с диэлектриком под действием приложенного напряжения. Если к затвору приложить отрицательное напряжение, то дырки будут притягиваться к диэлектрику SiO2 и на поверхности полупроводника образуется слой с высокой их концентрацией. Такой режим называется режимом обогащения канала. При подаче на затвор положительного напряжения дырки выталкиваются от поверхности полупроводника и образуется слой с уменьшенной концентраций дырок. Такой режим называется режимом обеднения. Электроны из полупроводника p-типа будут притягиваться к диэлектрику, и у поверхности полупроводника р-типа образуется слой с электропроводностью n-типа. Между областями истока и стока n-типа появилась (индуцировалась) область канала с тем же типом проводимости. Изменяя напряжения на затворе, можно изменять концентрацию электронов в канале, а значит, и его сопротивление. Если увеличивать положи-тельное напряжение на затворе, концентрация электронов в канале увеличивается. Такой режим называется режимом обогащения.
В МДП-транзисторе со встроенным каналом n-типа, структура которого
приведена на рис., уже при отсутствии внешних напряжений имеется ка- 43
нал, соединяющий области истока и стока. Поэтому при и про-текает ток стока. При увеличении положительного напряжения на затворе об-ласть канала обогащается электронами и ток стока возрастает. При увеличении
отрицательного напряжения на затворе канал обедняется электронами и ток
стока уменьшается. МДП-транзисторы со встроенным каналом работают в
режимахобогащения и обеднения.
|
|