💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее.
✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать».
Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами!

Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП - транзисторы)

Характерное отличие полевых транзисторов с изолированным затвором состоит в том, что у них между металлическим затвором и областью полупроводника находится слой диэлектрика – двуокись кремния SiO₂. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором называются МДП или МОП. Выпускаются МДП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.

В основе действия МДП-транзистора лежит эффект поля, представляющий собой изменение величины и типа электропроводности полупроводника вблизи его границы с диэлектриком под действием приложенного напряжения. Если к затвору приложить отрицательное напряжение, то дырки будут притягиваться к диэлектрику SiO₂ и на поверхности полупроводника образуется слой с высокой их концентрацией. Такой режим называется режимом обогащения канала. При подаче на затвор положительного напряжения дырки выталкиваются от поверхности полупроводника и образуется слой с уменьшенной концентраций дырок. Такой режим называется режимом обеднения. Электроны из полупроводника p-типа будут притягиваться к диэлектрику, и у поверхности полупроводника р-типа образуется слой с электропроводностью n-типа. Между областями истока и стока n-типа появилась (индуцировалась) область канала с тем же типом проводимости. Изменяя напряжения на затворе, можно изменять концентрацию электронов в канале, а значит, и его сопротивление. Если увеличивать положи-тельное напряжение на затворе, концентрация электронов в канале увеличивается. Такой режим называется режимом обогащения.

В МДП-транзисторе со встроенным каналом n-типа, структура которого

приведена на рис., уже при отсутствии внешних напряжений имеется ка- 43

нал, соединяющий области истока и стока. Поэтому при и про-текает ток стока. При увеличении положительного напряжения на затворе об-ласть канала обогащается электронами и ток стока возрастает. При увеличении

отрицательного напряжения на затворе канал обедняется электронами и ток

стока уменьшается. МДП-транзисторы со встроенным каналом работают в

режимахобогащения и обеднения.