Зависимость плотности дрейфового тока и ее зависимость от температуры и концентрации примесей.

Плотность электронного дрейфового тока,

, (где Vn–скорость дрейфа электронов, E – напряжённость поля)

а плотность дырочного дрейфового тока

Суммарная плотность дрейфового тока

jдр = е(n + p )Е

Это выражение представляет собой закон Ома в дифференциальной форме.

Величина

σ = е(n + p μ p)

является удельной электрической проводимостью полупроводника. При низких температурах, когда вероятность ионизации собственных атомов полупроводника мала, концентрация электронов и дырок определяется в основном концентрацией примеси и слабо зависит от температуры, так как все примесные атомы ионизируются при очень низкой температуре. Удельная электрическая проводимость падает с ростом температуры за счет уменьшения подвижности носителей заряда. При достаточно высокой температуре, минимальное значение Тmin которой зависит от соотношения собственной и примесной проводимостей, начинает сказываться ионизация собственных атомов полупроводника, поэтому концентрация подвижных носителей заряда, а следовательно, и проводимость полупроводника резко возрастают. Значение температуры Тmin, при которой появляется рост собственной проводимости полупроводника, тем ниже, чем меньше концентрация примеси.

Отметим, что при прохождении дрейфового тока через однородный полупроводник концентрация носителей заряда в любом элементарном объеме остается постоянной.