Дрейфовый и диффузионный токи.

Диффузия электронов из n-области полупроводника в р-область и дырок из р-области в п-область полупроводника, является причиной появления диффузионного тока основных носителей, протекающего через границу полупроводниковых сред. В одномерном случае плотность этого диффузионного тока jдиф (в дальнейшем – тока) равна:

jдиф= jдиф.n+ jдиф.p =

где jдиф.n и jдиф.p – электронная и дырочная составляющие диффузионного тока;

Направление диффузионного тока совпадает с направлением диффузии дырок. В дальнейшем попавшие в n-область полупроводника неосновные носители тока - дырки рекомбинируют с основными носителями тока - электронами, а в p-области электроны рекомбинируют с основными носителями тока – дырками.

Потенциальный барьер jк препятствует перемещению основных носителей тока, но не препятствует движению через переход неосновных носителей, имеющихся в p- и n-областях. Эти неосновные носители тока, имеющие энергию теплового происхождения, генерируются в объёме полупроводника и, дрейфуя к p-n переходу, захватываются его электрическим полем E.

Дрейфовый ток неосновных носителей равен

jдр = jдрn+ jдрp=jдр= jnдр+ jpдр=(qnivnдр+qpivpдр)= qni(mn+mp)E, А/м2,

Забиваем Сайты В ТОП КУВАЛДОЙ - Уникальные возможности от SeoHammer

Каждая ссылка анализируется по трем пакетам оценки: SEO, Трафик и SMM. SeoHammer делает продвижение сайта прозрачным и простым занятием. Ссылки, вечные ссылки, статьи, упоминания, пресс-релизы - используйте по максимуму потенциал SeoHammer для продвижения вашего сайта.

Что умеет делать SeoHammer

— Продвижение в один клик, интеллектуальный подбор запросов, покупка самых лучших ссылок с высокой степенью качества у лучших бирж ссылок.
— Регулярная проверка качества ссылок по более чем 100 показателям и ежедневный пересчет показателей качества проекта.
— Все известные форматы ссылок: арендные ссылки, вечные ссылки, публикации (упоминания, мнения, отзывы, статьи, пресс-релизы).
— SeoHammer покажет, где рост или падение, а также запросы, на которые нужно обратить внимание.

SeoHammer еще предоставляет технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней.

Зарегистрироваться и Начать продвижение

где q - заряды; ni=pi- концентрации; vnдр и vpдр - скорости дрейфа; mn и mp - подвижности электронов и дырок., где jдрn и jдрp – электронная и дырочная составляющие этого тока. Этот ток очень мал, так как концентрация неосновных носителей мала и по своему направлению он противоположен току диффузии jдиф.Поскольку через изолированный полупроводник ток проходить не должен, между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие и общий ток через p-n переход равен j=jдиф - jдр = 0

Таким образом, без приложения внешнего напряжения два встречно-направленных потока носителей тока компенсируют друг друга. Характерной особенностью зонной диаграммы p-n перехода является изгиб границ энергетических зон в n- и p-областях полупроводника. Причиной изгиба зон является появление в p-n переходе контактной разности потенциалов jк. При этом в обедненной основными носителями и, соответственно, более положительно заряженной приконтактной области n-полупроводника, границы зоны проводимости jс и валентной зоны jv изгибаются вверх, а в отрицательно заряженной приконтактной области p-полупроводника границы зон изгибаются вниз.