Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?
Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже.
Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал.
Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее. ✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать». Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами! Дрейфовое движение, подвижность носителей и ее зависимость от температуры и концентрации примесей.
Дрейф-упорядоченное движение подвижных носителей заряда в твёрдом теле под действием внеш. полей. Дрейф накладывается на их беспорядочное (тепловое) движение, но скорость Дрейфа обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения. Подвижность носителей заряда в полупроводниках зависит от температуры, так как тепловое хаотическое колебание частиц мешает упорядоченному движению. Основные причины, влияющие на температурную зависимость подвижности это рассеяние на: - тепловых колебаниях атомов или ионов кристаллической решетки; - на атомах или ионах примесей; - на дефектах решетки (пустых узлах, искажениях, связанных с внедрением иновалентных ионов, дислокациями, трещинами и т.д.). Подвижность , – скорость дрейфа
При низких температурах преобладает рассеяние на примесях и подвижность изменяется согласно выражению где a - параметр полупроводника. При высоких температурах преобладает рассеяние на тепловых колебаниях решетки где b - параметр полупроводника. В примесном полупроводнике проявляются обе составляющие и зависимость подвижности от температуры определяется выражением
|