Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Двухкаскадные усилители с гальванической связью
|
|
Рассмотрим основные особенности схем усилителей с гальванической связью.
 |
При изображении схем усилителей целесообразно шину питания с высоким потенциалом изображать в верхней части чертежа, а шину с низким потенциалом – в нижней. В результате схема приобретет наглядность, все токи будут иметь направление «сверху вниз», а потенциалы узлов в этом направлении будут уменьшаться. Транзистор типа n-p-n целесообразно изображать коллектор – сверху, эмиттер – снизу, а транзистор типа p-n-p – наоборот. В обоих случаях стрелка в обозначении эмиттера, указывающая направление тока, будет направлена «сверху вниз».
Выбор потенциалов узлов выполняется следующим образом. Напряжения UБЭ для всех транзисторов выбираются равными 0, 6 В. В реальной схеме отличие будет небольшим, параметры схемы впоследствии корректируют по результатам моделирования и эксперимента. Потенциал базы транзистора n-p-n должен быть выше потенциала эмиттера. Для транзистора типа p-n-p – противоположное условие. Напряжения UКЭ можно варьировать в широких пределах, это следует из анализа выходных характеристик транзисторов.
При выборе токов в качестве исходного значения выбирают номинальное значение тока коллектора 1 мА. Во входном каскаде выбирают режим микротоков для уменьшения температурного дрейфа. В выходном каскаде ток коллектора может быть увеличен до 10 мА с целью уменьшения выходного сопротивления каскада.
На рис. 8.12 приведены некоторые варианты схем двухкаскадных усилителей.
|
|