Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Структура операционного усилителя






 

Операционный усилитель – высокостабильный усилитель с дифференциальным входом и гальванической связью каскадов, предназначенный для выполнения математических операций в аналоговых вычислительных устройствах.

Первый ламповый ОУ был разработан в 1942, операционные усилители на транзисторах появились в 1959 году, а интегральный ОУ был разработан в 1963 году

Интегральные ОК по размерам и цене практически не отличаются от отдельного транзистора. В то же время, преобразование сигнала схемой на ОУ в основном определяется свойствами цепей обратных связей усилителя и отличается высокой стабильностью и воспроизводимостью. Реализация различных электронных схем на основе ОУ оказывается значительно проще, чем на отдельных транзисторах. Поэтому операционные усилители почти полностью вытеснили отдельные транзисторы в качестве элементов схем (" кирпичиков") во многих областях аналоговой схемотехники.

Упрощенная схема ОУ приведена на рис. 8.16.

На транзисторах VT1 – VT4 выполнен входной дифференциальный каскад с токовым зеркалом, а на транзисторе VT5 - генератор стабильного тока. Потенциал базы транзистора VT6 формирует делитель напряжения (R1, R2), в состав которого входит транзистор VT6 в диодном включении. Это элемент термостабилизации.

При повышении температуры входная характеристика транзистора VT5 перемещается влево, при этом возрастает ток базы, а следовательно и все остальные токи транзистора.

Однако аналогично перемещается входная характеристика транзистора VT6, что вызывает уменьшение напряжения, снимаемого с делителя и поступающего на базу VT5.

В результате происходит температурная стабилизация режима транзистора VT5 и тока, который вырабатывает ГСТ.

 

Для получения высокой стабильности тока необходимо, чтобы транзисторы VT5 и VT6 имели по возможности идентичные входные характеристики, и выполнялось равенство: RЭ5 = R2.

Вторую ступень усиления образует каскад с общим эмиттером на транзисторах VT7, VT8, включенных по схеме составного транзистора для повышения входного сопротивления этого каскада. Вместо коллекторного резистора в каскаде использован источник тока на транзисторе Т10. на его входе включен эмиттерный повторитель на транзисторе VT9. Конденсатор СК обеспечивает частотную коррекцию ОУ.

Выходной каскад представляет собой двухтактный комплементарный эмиттерный повторитель на транзисторах VT10, VT11. Напряжение на участке цепи из двух последовательных диодов, включенных в прямом направлении, обеспечивает малый начальный ток покоя этих транзисторов (режим класса АВ), что позволяет устранить переходные искажения сигнала. Такая схема обеспечивает симметрию выходного сопротивления ОУ при различной полярности выходного напряжения.

 
 

В более сложных схемах выходной каскад включает цепи защиты от короткого замыкания выхода.

 






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.