💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее.
✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать».
Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами!

Вольтова чувствительность магниторезисторов

Помимо основного параметра изменения удельного сопротивления, важнейшей характеристикой магниторезистора, как сенсорного элемента, является его чувствительность по напряжению, или так называемая вольтова чувствительность. Под чувствительностью магниторезистора по напряжению принято понимать отношение падения напряжения на его электродах к величине магнитной индукции.

Напряжение, снимаемое с магниторезистора, помещенного в магнитное поле с индукцией B при стабильном токе питания I определится согласно выражению (4.17) [15], [16].

U _ст=R₀ I μ ² B ². (4.17)

Такое напряжение называют статическим. При наличии поля подмагничивания B ₀ и изменении магнитной индукции на величину ∆ B, падение напряжения на магниторезисторе будет соответствовать выражению (4.18).

U _дин=R₀ I μ ²(2 B ₀Δ B +Δ B ²). (4.18)

В последнем случае принято говорить о динамическом падении напряжения. Полагая, что |∆ B |< < B ₀, выражение (4.18) примет вид:

U _дин=R₀ I μ ²(Δ B · B ₀). (4.19)

Если принять, что в выражениях (4.17) и (4.19) B и ∆ B одной величины, то формулы для статической и динамической чувствительности магниторезистора можно записать в виде (4.20) и (4.21) соответственно:

C _ст= R ₀ I μ ² B; (4.20)

C _дин=2 R ₀ I μ ² B ₀. (4.21)

Отсюда видно, что чувствительность линейно зависит от магнитной индукции B, а подмагничивающее поле линеаризует эту зависимость и повышает чувствительность. Учитывая, что максимальный ток питания магниторезистора в виде тонкой прямоугольной пластины с поверхностью 2 a× b задается выражением (4.22), то формулы для максимальной статической и динамической чувствительности можно переписать как (4.23), (4.24) соответственно.

(4.22)

где ∆ T – допустимый перегрев полупроводниковой пластины; η – коэффициент теплоотдачи; b и d – ширина и толщина полупроводниковой пластины соответственно; ρ ₀ – удельное сопротивление полупроводника в отсутствии магнитного поля.

(4.23)

(4.24)

где ka – эффективная длина магниторезистора. Для прямоугольного образца это k последовательно соединенных секций с оптимальной геометрией.

Таким образом, при μ B _max² > > 1 чувствительность магниторезистора будет пропорциональна его эффективной длине ka. Также отметим, что чувствительность магниторезистора в слабых магнитных полях (при отсутствии подмагничивания) уступает по своим значениям вольтовой чувствительности преобразователя Холла (изготовленного из того же материала, что и магниторезистор) и больше в ka _рез/ b _Х в сильных магнитных полях (b _Х – ширина преобразователя Холла).