Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Магниторезисторы ( определение, основные характеристики и способы реализации)






    Магниторезисторы – материалы (элементы) электронной техники, использование которых обусловлено наличием в них ярко выраженного магниторезистивного эффекта.

    В соответствии с их теоретическим анализом, сопротивление прямоугольного полупроводникового элемента с большим отношением ширины к длине в относительно сильном магнитном поле может быть представлено выражением (4.15).

     

    , (4.15)

     

    где RB и R 0 – сопротивление магниторезистора в магнитном поле и вне этого поля соответственно.

    Для материала с электронной проводимостью и для беспримесного полупроводника, с подвижностью электронов значительно превосходящей подвижность дырок допустимо принять tan (θ) ≈ μ n B, тогда:

     

    (4.16)

     

    где ∆ R – величина изменения сопротивления в магнитном поле.

    Для диска Корбино значение A, в выражении (4.10) практически равно единице и минимально у длинного и узкого преобразователя. Графическая зависимость коэффициента формы, как функция отношения ширины b к длине a прямоугольного преобразователя представлена на рис. 4.4.

     

     

    Рис. 4.4. График функциональной зависимости коэффициента формы магниторезистора от соотношения его геометрических размеров (рис. 4.2)

     

    Из графика видно, что при b / а > 6 коэффициент формы приближается к единице.

    На практике полупроводниковый эффект Холла в магниторезисторах достигают путем нанесения на поверхность полупроводниковой пластины (область 1, рис. 4.5) узких металлических полос, длина которых много меньше их ширины, а ориентация перпендикулярна направлению тока и магнитного поля (область 2, рис. 4.5). В некоторых случаях, вместо нанесения металлических полос, допускается использование монокристаллов, в которых области с высокой проводимостью создаются при их выращивании.

     

    Рис. 4.5. Вариант реализации магниторезистивного элемента






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.