Экспериментальные солитонные линии связи. Схема солитонной линии связи с усилением на волокне, легированном эрбием.

В области создания солитонных линий связи за последнее время достигнут определенный процесс и были созданы экспериментальные образцы таких линий. Большим толчком в создании новых экспериментальных солитонных линий связи было появление в 1989г ОУ с диодной накачкой, использующие ОВ, легированного эрбием (EDFA), в качестве усилительной среды и работающего на длине волны 1480 нм (рис.1).

Схема функционирования следующая:

- генератор информационной последовательности (ГИП) управлял импульсным источником излучения частотой 10ГГц и (через электрический усилитель ЭУ) оптическим модулятором на ниобате лития. Эта связка или блок были эквивалентны одному каналу данных со скоростью 10 Гбит/с. Для получения информационной последовательности импульсов со скоростью 80 Гбит/с был использован MS. Он реализован в виде планарной оптической ИС, объединяющий 8 таких эквивалентных каналов.

- для выделения на приеме сигнала канальной синхронизации 10 ГГц указанные блоки настраивались так, чтобы амплитуды генерируемых ими солитонов отличались друг от друга.

- сформированный MS оптический сигнал, усиленный в ОУ EDFA, подавался с его выхода далее на первый линейный сегмент EDFA1- STF. Пройдя по цепочке из двадцати таких сегментов, сигнал демультиплексируется с выделением тактового сигнала синхронизации 10ГГц, используемого в схеме детектора ошибок.

Источником излучения служил лазер, работавший на частоте 10 ГГц (период 10 пс) в режиме с активным захватом моды (ML Laser) и с кольцом ОВ, легированного эрбием, в цепи обратной связи. Лазер генерировал солитонные импульсы длительностью (2, 7-3)пс для длины волны 1552 нм. Сигнал на выходе MS имел битовой интервал 12, 5пс, это соответствовало расстоянию между солитонами примерно в 3 ширины солитонного импульса, что создавало условия для отсутствия их взаимодействия. В качестве ОВ использовалось волокно со сдвигом дисперсии, которое имело надлине волны 1552нм дисперсию минус 19пс/км*нм. Кодированные информационные импульсы усиливались ОУ EDFA до солитонной пиковой мощности порядка 8, 2 дБм. При демультиплексировании информационного сигнала 80 ГГц используется рефлектор в виде нелинейной оптической петли, нечувствительной к поляризации. Часть переданного сигнала принималась PIN-VD для выделения сигкала таймера 10 ГГц. Этот сигнал используется затем для управления лазерным диодом 1533 нм с РОС, генерирующим 9 пс импульсы вместо исходных. Эта импульсная последовательность используясь далее для управления указанным рефлектометром, сформированным в виде 6км отрезка, сохраняющего поляризацию ОВ со сдвигом дисперсии.