![]() Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
ЛР№ 9. Снятие входных и выходных характеристик биполярного транзистора
1. Что представляет из себя электронно-дырочный переход? ЭДП – это тонкий приконтактный слой в зоне соединения двух полупроводников с различной электропроводностью. При соединении полупроводников начинается взаимный переход электронов и дырок из одного слоя в другой (диффузия), в результате чего на границе соединения полупроводников появляются объемные заряды: в полупроводнике с преобладанием дырочной электропроводности - отрицательный, а в полупроводнике с преобладанием электронной электропроводности - положительный. Эти объемные заряды создают внутреннее электрическое поле, которое противодействует диффузии. Когда силы внутреннего поля и силы диффузии уравновесятся, то диффузия прекращается, а это означает, что ЭДП сформировался. 2. Что происходит если к электронно-дырочному переходу приложено Uпр? Если к ЭДП приложено Uпр, то возникает внешнее электрическое поле, которое направлено навстречу внутреннему электрическому полю ЭДП и ослабляет его, при этом возобновляется взаимный переход электронов и дырок из одного слоя в другой и в цепи появляется электрический I. 3.Что происходит если к электронно-дырочному переходу приложено Uобр? Если к ЭДП приложено Uобр, то возникает внешнее электрическое поле, которое совпадает по направлению с внутренним электрическим полем ЭДП и усиливает его, при этом взаимный переход электронов и дырок из одного слоя в другой, прекратившийся под воздействием внутреннего поля, становится тем более невозможным, а, следовательно, электрический ток в цепи отсутствует. Т.о., главным свойством ЭДП является его односторонняя электропроводность. Это свойство широко используется во многих полупроводниковых приборах: VD, VT, тиристорах, фотоэлементах. 4. Что понимают под пробоем электронно-дырочного перехода, виды пробоя? Под пробоем ЭДП понимают резкое увеличение Iобр. Различают следующие виды пробоя ЭДП: Забиваем Сайты В ТОП КУВАЛДОЙ - Уникальные возможности от SeoHammer
Каждая ссылка анализируется по трем пакетам оценки: SEO, Трафик и SMM.
SeoHammer делает продвижение сайта прозрачным и простым занятием.
Ссылки, вечные ссылки, статьи, упоминания, пресс-релизы - используйте по максимуму потенциал SeoHammer для продвижения вашего сайта.
Что умеет делать SeoHammer
— Продвижение в один клик, интеллектуальный подбор запросов, покупка самых лучших ссылок с высокой степенью качества у лучших бирж ссылок. — Регулярная проверка качества ссылок по более чем 100 показателям и ежедневный пересчет показателей качества проекта. — Все известные форматы ссылок: арендные ссылки, вечные ссылки, публикации (упоминания, мнения, отзывы, статьи, пресс-релизы). — SeoHammer покажет, где рост или падение, а также запросы, на которые нужно обратить внимание. SeoHammer еще предоставляет технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Зарегистрироваться и Начать продвижение 1. Электрический пробой. По мере увеличения Uобр увеличивается энергия валентных электронов и при некотором U она становится достаточной для разрыва ковалентных связей, что приводит к значительному увеличению количества неосновных носителей и резкому увеличению Iобр. 2. Лавинный пробой. По мере увеличения Uобр увеличивается скорость неосновных носителей и при некотором U она становится достаточной для ударной ионизации атомов полупроводника. Процесс ударной ионизации происходит лавиннообразно и Iобр резко возрастает при незначительном изменении Uобр. 3. Тепловой пробой. При нагреве полупроводников увеличивается энергия валентных электронов и при некоторой температуре она становится достаточной для разрыва ковалентных связей, что приводит к значительному увеличению количества неосновных носителей и резкому & Iобр.
|