Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?
Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже.
Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал.
Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее. ✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать». Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами! Вказівки до виконання роботи. Перед виконанням лабораторної роботи слід вивчити такий теоретичний матеріал: розщеплення енергетичних рівнів та виникнення енергетичних зон у кристалах;
Перед виконанням лабораторної роботи слід вивчити такий теоретичний матеріал: розщеплення енергетичних рівнів та виникнення енергетичних зон у кристалах; Принцип Паулі; розподіл електронів по енергетичних станах; розподіл твердих тіл на провідники, напівпровідники та діелектрики з точки зору зонної теорії. [ 1, т.2 §§3.2, 3.5, 3.6; т.3 §§ 14.2; 2, §§ 240–243; 4, т.3 §§ 51, 53, 58, 59]
Зонна структура напівпровідника з власною провідністю та функція Фермі розподілу електронів по енергетичних станах приведені на рис. 6.1.1, де N – повна кількість енергетичних рівнів, – кількість носіїв різного типу – електронів в зоні провідності ЗП () та дірок у валентній зоні ВЗ (). Штрих-пунктирами позначена функція розподілу Фермі–Дірака та відмічено рівень Фермі . Враховуючи, що розподіл носіїв і по зонах є рівноважним, запишемо рівняння балансу переходів електронів між зонами: . (6.1.1) У рівнянні (6.1.1) зліва – потік знизу вгору, який пропорційний кількості електронів у валентній зоні (), кількості вільних рівнів у зоні провідності () та експоненціальному множнику Больцмана для переходів з енергетичним бар’єром . Справа – потік згори вниз, який пропорційний кількості електронів у зоні провідності () та кількості вільних місць у валентній зоні (). Енергетичного бар’єру для таких переходів немає. Враховуючи, що при звичайних умовах , із (6.1.1) отримаємо: . Питомий опір напівпровідника обернено пропорційний кількості носіїв, тому , а опір, таким чином, визначається формулою: , (6.1.2) де – ширина забороненої зони, – стала Больцмана, – абсолютна температура. Коефіцієнт залежить від температури, але порівняно з експонентою, ця залежність дуже слабка, тому у досить вузькому інтервалі температур його можна вважати сталим. Температурна залежність, описувана формулою (6.1.2), показана на рисунку 6.1.2.
Запишемо формулу (6.1.2) для двох різних значень температури:
, . Поділивши перше рівняння на друге, одержимо: .
Логарифмуючи цей вираз і розв’язуючи одержане рівняння відносно , одержимо формулу для визначення ширини забороненої зони: . (6.1.3) На рисунку 6.1.3 показано схему експериментальної установки. На схемі прийнято такі позначення: 1 – термометр; 2 – масляна баня; 3 – терморезистор; 4 – нагрівник; 5 – омметр.
Хід роботи 1. За допомогою омметра визначити опір терморезистора при кімнатній температурі. 2. Увімкнути нагрівник і через кожні 5...100С вимірювати опір. Температура не повинна перевищувати 80º С. 3. Результати вимірювань занести до табл.6.1.1. 4. Побудувати графік залежності від і за формулою (6.1.3) обчислити ширину забороненої зони. *Зауваження: для розрахунку значення величин і брати не з таблиці 6.1.1, а визначати за масштабом на прямолінійній ділянці графіка. 5. Виразити значення ширини забороненої зони в електрон-вольтах, враховуючи, що 1 еВ = 1, 6 10–19 Дж. Таблиця 6.1.1
Контрольні запитання 1. Поясніть, як виникають енергетичні зони в кристалах? 2. Що таке заборонені та дозволені енергетичні зони? 3. Що таке валентна зона? Зона провідності? 4. Яка зона називається забороненою? Чому дорівнює її енергетична ширина? 5. Заповнення зон металів, діелектриків та напівпровідників. 6. Елементи якої групи таблиці Менделєєва відносяться, переважно, до напівпровідників? 7. Що таке власна та домішкова провідності напівпровідників? 8. Де розташований рівень Фермі у власному напівпровіднику? В донорному та акцепторному напівпровідниках? 9. Як змінюється з температурою опір напівпровідників?
|