Репрограмовані ППП

РППП розділяють на 2 класи за способом програмування мікросхеми:

з режимом запису/стирання електричним сигналом, запис електричним сигналом / стирання ультрафіолетовим променем.

Етап 1. 15-20 хвилин здійснюють опромінення ультрафіолетовим променем через віконце інтегральної мікросхеми.

Етап 2. P-n перехід Стік-Підложка зміщують у зворотньому напрямі, при цьому дана напруга має бути достатньою для електричного пробивання (приблизно 30 В). Частина носіїв заряду, активована в результаті пробивання має енергію, достатню для проходження енергетичного бар’єру між напівпровідником та діелектриком. Інжектовані в діелектрику носії заряду дрейфують до плаваючого затвору та захоплюються ним, утворюючи накопичення заряду.

ФЛЕШ-Пам’ять

Перші ПП для мікроконтролерів виконувались у вигляді масочних ПП, але їх не можна було перепрограмувати. Потім з’явилися ПППП, що будувались на лавинно-інжекційних ППП, які мали порівняно великий час стирання. Щоб прискорити процес стирання ввели другий затвор (конструкція з розщепленим затвором, рисунок 8.11). Таким чином, програмування та стирання відбувається з високою ефективністю за рахунок оптимального вибору відстані між усіма електродами; заряд на плаваючий затвор попадає з малими втратами. Достатньо 1 мкА, щоб записати інформацію. На відміну від лавинно-інжекційних ППП, ФЛЕШ-пам’ять має велику швидкість стирання, велику швидкість програмування, немалу кількість циклів перепрограмування.