Применение магниторезисторов.

Магниторезисторы применяются преимущественно в измерительной технике; для измерения магнитной индукции, мощности, в качестве ана­лизатора гармоник. Магниторезисто­ры находят применение также в схе­мах удвоения частоты, преобразова­телей постоянного тока в перемен­ный, в схемах усилителей и генера­торов.

Магниторезисторы применяются также в качестве чувствитель­ных элементов бесконтактных переключателей, датчиков линейных перемещений, бесконтактных потенциометров и во многих других об­ластях электронной техники.

Основные метрологические характеристики магниторезисторов.

Основными метрологическими характеристиками магниторезисторов являются начальное сопротивление R₀, которое лежит в пределах от долей ома до десятков килоом, и магниторезистивная чувствительность S_B=dR/dB. Обычно для характеристики магниторезистивных преобразователей используют зависимости ∆ R_B/R₀=F(B), где ∆ R_B=R_B-R₀. Для работы при
низких температурах весьма перспективны магниторезисторы из антимонида индия.

Температурный коэффициент сопротивления магниторезисторов (ТКС) зависит от состава материала, магнитной индукции и температуры. Чем больше чувствительность магниторезистора, тем больше его ТКС. Значения ТКС различных типов магниторезисторов имеют пределы 0, 0002—0, 012 К^-1.

Частотные характеристики магниторезисторов в основном определяются меж­электродными емкостями. У дисков Корбино частотная погрешность меньше, чем у прямоугольных преобразователей, для которых при изменении частоты от 0 до 10 МГц магниторезистивная чувствительность уменьшается на 5—10%.

Магниторезистивные преобразователи находят применение в качестве бесконтактных переменных резисторов и делителей напряжения с плавно регулируемым коэффициентом деления, модуляторов малых постоянных токов и напряжений, используются для создания тесламетров для работы при сверхнизких температурах и датчиков для измерения ряда неэлектрических величин, легко преобразуемых в изменение магнитной индукции, и бесконтактного измерения токов.

Вывод.

Гальваномагнитные преобразователи (ГМП) основаны на физических эффектах, возникающих в находящихся в магнитном поле твердых телах при движении в них заряженных частиц. В качестве измерительных преобразователей практическое при­менение получили главным образом полупроводниковые ГМП, основанные на исполь­зовании эффектов Холла и Гаусса. Эффект Холла заключается в возникновении поперечной разности потенциалов (ЭДС Холла) на боковых гранях пластины, а эф­фект Гаусса, или магниторезистивный эффект, проявляется в изменении электриче­ского сопротивления пластины. Оба эффекта обусловлены изменением траектории движения заряженных частиц в магнитном поле, возникают одновременно и свя­заны между собой так, что каждый из них приводит к ослаблению другого. Выбирая определенным образом конструкцию и состав материала преобразователя, можно усилить один из эффектов и ослабить другой, создавая таким образом преобразова­тели Холла, или магниторезистивные преобразователи .

Список литературы.

1. Новицкий П.В. Методы измерения физических величин. - М, 1989.