Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Решение. Плотность обратного тока насыщения определяется равенством:






Плотность обратного тока насыщения определяется равенством:

 

.

Коэффициенты диффузии для дырок и свободных электронов соответственно определяются равенствами и , где

 

называется тепловым потенциалом.

Концентрация неосновных носителей в п -области р-п- перехода равна:

 

= (2, 5× 1019)2/(1, 60× 1021) = 3, 91× 1017 м-3.

Концентрация неосновных носителей в р -области р-п- перехода равна:

= (2, 5× 1019)2/(3, 29× 1023) = 1, 9× 1015 м-3.

Плотность обратного тока насыщения будет равна:

 

=0, 31 А× м-2.

Отношение дырочной составляющей обратного тока к электронной

 

=100.

Прямое напряжение, которое необходимо приложить к р-п- переходу для того, чтобы получить плотность тока 105 А× м-2, можно найти из равенства

 

.

Так как

 

=3, 2× 105

и

 

=12, 7,

то

 

=0, 328 В.

 






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.