Задача 1. Физические основы электроники, часть 1

Физические основы электроники, часть 1

Практическое занятие №2

Тема: Электронно-дырочный переход

Задача 1

В германиевом р-п- переходе концентрация основных носителей в области полупроводника с р -типом проводимости равна = 3, 29× 10²³ м^-3, а в области с п -типом - = 1, 6× 10²¹ м^-3. Подвижности электронов и дырок в германии соответственно равны 0, 39 и 0, 19 м²/(В× с). Подвижности электронов и дырок в кремнии соответственно равны 0, 048 и 0, 135 м²/(В× с). Концентрация собственных носителей заряда в германии при Т=300 К равна n_i = 2, 5× 10¹⁹ м^-3. Диффузионная длина электронов и дырок за пределами объема пространственного заряда р-п -перехода = 1× 10^{-3 м.}

Найти:

1) плотность обратного тока насыщения и отношение дырочной составляющей обратного тока насыщения к электронной;

2) напряжение, при котором плотность прямого тока j =10⁵ А× м^-2.