Схемы замещения биполярного транзистора

При расчетах электрических цепей с транзисторами реальный прибор заменяется схемой замещения, в которой транзистор представляется в виде активного четырехполюсника. Возможны две схемы замещения транзистора: бесструктурная и структурная, в которой отражены физические связи между ее элементами. В обоих случаях полагается линейная связь между токами и напряжениями в приборе. Такой подход возможен, когда транзистор работает при открытом эмиттерном переходе и закрытом коллекторном переходе, а значения его токов и напряжений не выходят за пределы рабочей области на выходной характеристике.

Рис. 3. Бесструктурная схема замещения биполярного транзистора

На рис.3 приведена бесструктурная схема замещения биполярного транзистора. Поскольку электрический режим прибора в схеме ОЭ определяется входным током I _Б и выходным напряжением U , четырехполюсник схемы замещения описывается системой уравнений типа Н. При этом вместо значений токов и напряжений в уравнениях используются приращения значений этих параметров относительной соответствующих величин, находящихся внутри рабочей области. Таким образом, в случае бесструктурной схемы значения приращений токов и напряжений биполярного транзистора связываются через h-параметры уравнениями

Забиваем Сайты В ТОП КУВАЛДОЙ - Уникальные возможности от SeoHammer

Каждая ссылка анализируется по трем пакетам оценки: SEO, Трафик и SMM. SeoHammer делает продвижение сайта прозрачным и простым занятием. Ссылки, вечные ссылки, статьи, упоминания, пресс-релизы - используйте по максимуму потенциал SeoHammer для продвижения вашего сайта.

Что умеет делать SeoHammer

— Продвижение в один клик, интеллектуальный подбор запросов, покупка самых лучших ссылок с высокой степенью качества у лучших бирж ссылок.
— Регулярная проверка качества ссылок по более чем 100 показателям и ежедневный пересчет показателей качества проекта.
— Все известные форматы ссылок: арендные ссылки, вечные ссылки, публикации (упоминания, мнения, отзывы, статьи, пресс-релизы).
— SeoHammer покажет, где рост или падение, а также запросы, на которые нужно обратить внимание.

SeoHammer еще предоставляет технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней.

Зарегистрироваться и Начать продвижение

Δ U = h Δ I _Б + h Δ U , (1)

Δ I = h Δ I _Б + h Δ U . (2)

Из соотношения (1) при Δ U = 0 следует

h = , (3)

а при Δ I _Б = 0

h = . (4)

Аналогичным образом из соотношения (2) можно получить

h = , (5)

h = . (6)

Согласно соотношениям (3) – (6)

h является входным сопротивлением транзистора при постоянном значении напряжения U ;

h - коэффициент обратной связи по напряжению;

h - коэффициент передачи тока в схеме ОЭ, характеризующий усилительные свойства транзистора при постоянном значении напряжения U ;

h - выходная проводимость транзистора при постоянном токе базы.

Структурная схема замещения транзистора можно представить в виде Т-образной схемы. Такая схема для случая включения транзистора с ОЭ приведена на рис.4, где приращения токов и напряжений обозначены как i_Б, i_К, u_БЭ, u_КЭ.

Рис. 4. Бесструктурная схема замещения биполярного транзистора

Левая часть этой эквивалентной схемы транзистора отражает эмиттерный переход, находящийся в открытом состоянии. Резистор r_Э представляет собой сопротивление открытого перехода, величина которого невелика и лежит в пределах от единиц до нескольких десятков Ом. Резистор r_Б представляет сопротивление базового слоя, величина которого как правило составляет 100-500 Ом. Им по существу определяется входное сопротив-ление прибора, поскольку величина сопротивления r_Э весьма мала. Правая часть схемы рис.4 отражает коллекторный переход. Он представляется параллельным соединением сопротивления r_К(Э) и барьерной емкости коллекторного перехода С_К. Кроме того, параллельно им включен источник тока β i_Б, отражающий факт переноса рабочих носителей заряда из эмиттерного слоя в коллекторный слой. На низких частотах емкостное сопротивление велико и шунтирующим действием емкости С_К на источник тока β i_Б можно пренебречь. Поэтому подключение емкости С_К на рис.4 обозначено пунктиром.

Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте

Попробуйте сервис онлайн-записи VisitTime на основе вашего собственного Telegram-бота:
— Разгрузит мастера, специалиста или компанию;
— Позволит гибко управлять расписанием и загрузкой;
— Разошлет оповещения о новых услугах или акциях;
— Позволит принять оплату на карту/кошелек/счет;
— Позволит записываться на групповые и персональные посещения;
— Поможет получить от клиента отзывы о визите к вам;
— Включает в себя сервис чаевых.

Для новых пользователей первый месяц бесплатно.

Зарегистрироваться в сервисе

Согласно эквивалентной схеме рис.4 на низких частотах с учетом малой величины сопротивления r_Э приращение коллекторного тока определяется соотношением

из которого следует, что с учетом (5)

h = b,

а с учетом (6)

r = .

Поскольку коллекторный переход транзистора закрыт, его сопротивле-ние очень велико. Поэтому величина параметра h₂₂ имеет порядок 10^-4 См. Величина параметра h₂₁ обычно составляет несколько десятков.

Таким образом значения параметров r _б, r _к(э) и b структурной схемы замещения транзистора определяются, если известны значения параметров h₁₁, h₂₁ и h₂₂ бесструктурной схемы замещения.