Перечень условных обозначений

💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее.
✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать».
Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами!

d_ЗК – избирательность приемника по зеркальному каналу в децибелах,

D_ЗК – избирательность приемника по зеркальному каналу в разах,

d_ПЧ – избирательность приемника по каналу приема на промежуточной частоте в децибелах,

D_ПЧ – избирательность приемника по каналу приема на промежуточной частоте в разах,

d_СК – избирательность приемника по соседнему каналу в децибелах,

D_СК – избирательность приемника по соседнему каналу в разах,

М_ПР (d_{И ПР}) – частотные искажения преселектора в децибелах,

D_{И ПР} – частотные искажения преселектора в разах,

М_ПЧ (d_{И ПЧ}) – частотные искажения тракта ПЧ в децибелах,

D_{И ПЧ} – частотные искажения тракта ПЧ в разах,

М_НЧ – частотные искажения тракта звуковой частоты,

f_ЗК – частота зеркального побочного канала приема,

f_ПЧ – промежуточная частота (частота побочного канала приема на промежуточной частоте),

f_{Г МИН} – минимальная частота гетеродина (соответствует f_МИН),

f_{Г СР} – средняя частота гетеродина (соответствует f_СР),

f_{Г МАКС} – максимальная частота гетеродина (соответствует f_МАКС),

δ f_Г – относительная нестабильность частоты гетеродина,

∆ f_ПР – рассопряжение частот настройки преселектора и гетеродина,

∆ f_{ПР МИН} – рассопряжение частот настройки преселектора и гетеродина на минимальной

∆ f_{ПР МАКС} – рассопряжение частот настройки преселектора и гетеродина на максимальной

С_МИН- минимальная емкость контура преселектора (расчетная величина);

C_МАКС – максимальная емкость контура преселектора (расчетная величина);

∆ С_МАКС – максимальное приращение емкости контура,

С_{Г МИН}- минимальная емкость контура гетеродина (расчетная величина),

С_{Г МАКС} – максимальная емкость контура гетеродина (расчетная величина),

∆ С_Г – текущее приращение емкости контура гетеродина,

∆ С_{Г МАКС} – максимальное приращение емкости контура гетеродина,

С_{МИН КПЕ}- минимальная емкость конденсатора переменной емкости,

C_{МАКС КПЕ} – максимальная емкость конденсатора переменной емкости,

∆ С_КПЕ – текущее приращение емкости конденсатора переменной емкости,

∆ С_{МАКС КПЕ} – максимальное приращение емкости конденсатора переменной емкости,

ν _{И МИН} - относительная расстройка на краях полосы пропускания преселектора на минималь-

ν _{И МАКС} - относительная расстройка на краях полосы пропускания преселектора на максималь-

ν _{ПЧ МИН} - относительная расстройка побочного канала приема на промежуточной частоте на

минимальной частоте настройки преселектора,

ν _{ПЧ МАКС} - относительная расстройка побочного канала приема на промежуточной частоте на

максимальной частоте настройки преселектора,

ν _{ЗК МАКС} - относительная расстройка зеркальногоного канала приема на максимальной частоте настройки преселектора,

ν _{И ПЧ} - относительная расстройка на краях полосы пропускания полосового фильтра тракта ПЧ,

ν _СК - относительная расстройка соседнего канала приема,

ξ _{И МИН} - обобщенная расстройка на краях полосы пропускания преселектора на минималь-

ξ _{И МАКС} - обобщенная расстройка на краях полосы пропускания преселектора на максималь-

ξ _{ПЧ МИН} - обобщенная расстройка побочного канала приема на промежуточной частоте на

минимальной частоте настройки преселектора,

ξ _{ПЧ МАКС} - обобщенная расстройка побочного канала приема на промежуточной частоте на

максимальной частоте настройки преселектора,

ξ _{ЗК МАКС} - обобщенная расстройка зеркальногоного канала приема на максимальной частоте настройки преселектора,

ξ _{И ПЧ} - обобщенная расстройка на краях полосы пропускания полосового фильтра тракта ПЧ,

ξ _СК - обобщенная расстройка соседнего канала приема,

П_МИН – полоса пропускания преселектора на минимальной частоте настройки,

П_МАКС – полоса пропускания преселектора на максимальной частоте настройки,

П_ПЧ – полоса пропускания фильтра сосредоточенной селекции тракта ПЧ,

К_НЧ – коэффициент усиления тракта звуковой частоты,

К_Н – коэффициент неравномерности передачи (усиления) в диапазоне частот,

К_{Ф МИН} - коэффициент передачи полосового фильтра преселектора на минимальной частоте

К_{Ф МАКС} - коэффициент передачи полосового фильтра преселектора на максимальной частоте

А_МИН- фактор связи полосового фильтра преселектора на минимальной частоте настройки,

А_МАКС- фактор связи полосового фильтра преселектора на максимальной частоте настройки,

А_ПЧ- фактор связи полосового фильтра тракта ПЧ,

U_m _ДЕТ – амплитуда сигнала на входе детектора,

U_m _ДЕТ – амплитуда сигнала на входе тракта звуковой частоты (на выходе детектора),

U_m _ДЕТ – амплитуда сигнала на выходе тракта звуковой частоты,

S_Д – крутизна вольтамперной характеристики диода,

S – крутизна вольтамперной характеристики транзистора,

1.4.Требования к содержанию раздела 2 “Выбор полупроводниковых приборов”.

1.4.1.Основным критерием при выборе полупроводниковых приборов является рабочая

частота. Остальные параметры оцениваются относительно технических требований к конкретному

1.4.2.1.В курсовом проекте диоды применяются при детектировании высокочастотных

модулированных колебаний на промежуточной частоте. Поэтому их рабочая частота должна

быть приблизительно на порядок (в 10 раз) выше промежуточной частоты приемника.

1) их рабочая частота должна быть приблизительно на порядок (в 10 раз) выше промежуточ-

2) их обратное сопротивление должно быть приблизительно на порядок (в 10 раз) выше

Обратное сопротивление диода влияет на входное сопротивление детектора. При малом

обратном сопротивлении в значительной мере уменьшается входное сопротивление детектора,

шунтируя контур выходного каскада тракта ПЧ, что ведет к ухудшению избирательности по сосед-

Емкость диода влияет на фильтрацию высокочастотной составляющей сигнала промежуточ-

ной частоты в низкочастотном выходном сигнале детектора.Чтобы эта высокочастотная состав-

ляющая сигнала не влияла на качество сигнала на выходе детектора, коэффициент фильтрации не

должен превышать 0, 05. Поэтому емкость диода должна быть не более 1, 0 – 1, 5пФ.

1.4.2.2.Этим требованиям удовлетворяют кремниевые точечные диоды типа Д1, Д2, Д9 и

кремниевый диод 2Д419А с барьером Шоттки, но диод 2Д419А имеет более низкий потенциаль-

ный барьер, чем диоды Д1, Д2, Д9. Поэтому в качестве детекторного диода рекомендуется выб-

рать диод 2Д419А, так как он позволяет уменьшить уровень сигнала на входе детектора, а, следо-

вательно, уменьшить коэффициент усиления тракта приема и повысить его линейность.

1.4.2.3.В пояснительной записке привести обоснование применения диода 2Д419А и его

основные электрические параметры, которые даны в приложении 7.

1.4.3.1.В курсовом проекте транзисторы применяются в тракте приема в качестве активных

элементов гетеродина, преобразователя частоты и линейных каскадов усиления

В качестве активных элементов гетеродина рекомендуется применять биполярные транзис-

торы, в качестве активных элементов преобразователя частоты и линейных каскадов усиления – по-

левые транзисторы, так как они имеют более высокое входное сопротивление и меньше шунтируют

контура своим входным сопротивлением, повышая тем самым избирательность приемника.

1.4.3.2.Выбор транзисторов производится по их граничной частоте, которая должна быть

приблизительно на порядок (в 10 раз) выше частоты, на которой работают каскады, в которых они применяются.

1.4.3.3. В пояснительной записке привести обоснование применения выбранных типов

транзисторов и их основные электрические параметры, которые даны в приложении 7.

1.10. Порядок оформления схемы электрической структурной приемника.

1.10.1.Структурная схема отображает принцип работы приемника в общем виде. Поэтому

на схеме изображают основные функциональные узлы и каскады приемника, а также основные

взаимосвязи между ними.Построение схемы должно давать наглядное представление о работе

приемника и взаимодействии его составных частей.Направление сигналов указывают стрелками.

1.10.2.Функциональные узлы и каскады изображают в виде условных графических обозначе-

ний, приведенных в приложении 8. Каждому узлу и каскаду присваивается порядковый номер,

который проставляют на схеме над его условным графическим обозначением, а их названия в соот-

ветствии с порядковыми номерами указывают на поле схемы в таблице (например, над основной

надписью). Порядок присвоения номеров – сверху вниз в направлении слева направо.

1.10.3.Основной размер условных графических обозначений – квадрат со стороной 10мм.

1.10.4.Структурную схему в курсовом проекте выполнить на листе формата А3 или А4 (лучше

1.11.Порядок составления и описаниясхемы электрической принципиальной приемника.

1.11.1. Порядок составления схемы электрической принципиальной приемника.

1.11.1.1.Составление схемы электрической принципиальной приемника начать с составле-

ния отдельных схем электрических принципиальных всех функциональных узлов и каскадов в

соответствии со схемой электрической структурной приемника.

1.11.1.2.Нарисовать схемы электрические принципиальные всех функциональных узлов и

каскадов друг за другом в той последовательности, в какой они расположены в схеме электричес-

1.11.1.3.Соединить между собой цепи питания всех функциональных узлов и каскадов.

1.11.1.4.Соединить входную цепь с антенным разъемом, выход тракта звуковой частоты – с

1.11.1.5.Соединить по переменному току между собой все функциональные узлы и каскады,

т.е. выход предыдущего узла (каскада) соединить со входом последующего узла (каскада).

Если это соединение влияет на режим по постоянному току хотя бы одного из соединяемых

узлов (каскадов), ввести между ними разделительный конденсатор.

1.11.1.6.Проверить правильность составления и оформить схему электрическую принципиаль-

ную приемника в соответствии с требованиями ЕСКД на листе формата А3.

1.11.1.7.К схеме электрической приложить перечень элементов. В перечень элементов

записать только те элементы, которые в данном курсовом проекте были рассчитаны или выбраны

(элементы контуров преселектора и гетеродина, полосовых фильтров или фильтра сосредоточен-

ной селекции тракта ПЧ, транзисторы тракта приема, детекторный диод, микросхему тракта звуко-

вой частоты и все элементы узла или каскада, электрический расчет которого был выполнен).

Перечень элементов оформить в соответствии с требованиями ЕСКД на листе формата А4.

1.11.2. Порядок описаниясхемы электрической принципиальной приемника.

1.11.2.1.Привести составные части приемника, т.е. дать общее представление, из каких функ-

циональных узлов состоит приемник, а затем описать схему электрическую принципиальную каж-

Описание выполнить в такой же последовательности, в какой они расположены в структур-

1.11.2.2.Если функциональный узел включает в себя только одну составную часть, то сначала

дать ее краткую характеристику, а затем перечислить элементы, из которых она состоит, с указанием

их назначения и позиционного обозначения на схеме электрической принципиальной приемника.

Если функциональный узел включает в себя несколько составных частей (преобразователь

частоты, тракт ПЧ), то сначала перечислить их, указав основной элемент, на котором выполнена

каждая из них(___ выполнен на диоде VD __ или __ на транзисторе VT __), а затем перейти к описа-

нию их схем электрических принципиальных. При описании схемы электрической принципиальной

составной части сначала дать ее краткую характеристику, а затем перечислить элементы, из которых

она состоит, с указанием их назначения и позиционного обозначения на схеме электрической принципиальной приемника.

2.Требования к оформлению пояснительной записки.

2.1.Пояснительную записку выполнить на листах формата А4.

2.2.Текстовой материал пояснительной записки разместить в следующем порядке:

–остальной материал разместить в порядке, приведенном в оглавлении пояснительной записки (приложение1).

2.3.Титульный лист оформить в соответствии с приложением 7.

2.4.Каждый раздел, выполнить с новой страницы, подразделы 4.2 – 4.5 также выполнить

2.5.Всем листам, включая титульный лист, присвоить порядковый номер (задание на кур-

совой прект при нумерации листов не учитывать).

2.6.Пояснительную записку оформить в виде папки.

Титульный лист, оглавление, введение и каждый раздел, за исключением раздела 4, помес-

тить в отдельный файл. Каждый подраздел (4.1 – 4.5) раздела 4 также поместить в отдельный

2.7.В соответствии с единой системой конструкторской документации ЕСКД каждому изде-

лию присваивают индивидуальное обозначение, которое называется децимальным номером изделия.

В настоящем курсовом проекте изделием является приемник радиовещательный ___ диа-

В нашем учебном заведении принята структура обозначения изделия, которая включает

в себя буквенный индекс специальности РТ, код специальности 210414, номер группы, состоящий

из 3-х цифр, индивидуальный номер изделия, состоящий из 2-х цифр (порядковый номер задания).

Обозначение конструкторских документов на изделие должно состоять из обозначения

изделия и кода документа, установленного стандартами ЕСКД и приведенного в табл.2.

2.8.Каждый конструкторский документ должен иметь основную надпись.

Формы, размеры, содержание и порядок заполнения основных надписей в конструкторских

документах устанавливает ГОСТ 2.104 – 68 “ЕСКД. Основные надписи”.

Для схем предусмотрена основная надпись по форме 1 ГОСТ 2.104 – 68 (Л.3, рис.1.5.1).

Для текстовых конструкторских документов (пояснительная записка) предусмотрена основ-

ная надпись по форме 2 ГОСТ 2.104 – 68 (Л.3, рис.1.5.2) и дополнительная для последующих листов

2.9. В соответствии с п.2.7 изделию курсового проекта (“Приемник радиовещатель-

ный ___ диапазона”) и всем конструкторским документам на него присвоить децимальный номер (обозначение). Конструкторские документы выполнить в соответствии с требованиями п.2.8 и

Основную надпись в пояснительной записке разместить на листе 2 (“Оглавление”).

Электрические параметры полупроводниковых приборов

Кремниевый диод 2Д419А с барьером Шоттки предназначен для применения в линейных

– постоянное прямое напряжение U_ПР (I_ПР = 1мА), В не более 0, 4

– постоянный обратный ток I_ОБР (U_ОБР = 15В), мкА не более 10

– постоянное обратное напряжение U_{ОБР МАКС}, В 15

Кремниевый p-n-p транзистор с нормированным коэффициентом шума на частоте

100МГц предназначен для применения в линейных усилителях и генераторах высокой частоты.

– граничная частота f_ГРкоэффициента передачи тока в схеме с общим

– статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

– крутизна вольтамперной характеристики S (I_К = 5мА, U_КЭ = 5В), мА/В 30

– обратный ток коллектора I_{К ОБР} (U_КБ =45В), мкА, не более 0, 2

– емкость коллекторного перехода С_К (U_КБ = 10В), пФ, не более 5

-емкость эмиттерного перехода С_Э, пФ не более 6

– коэффициент шума К_Ш на частоте 100 МГц, дБ, не более 6

– постоянное напряжение коллектор-эмиттер U_{КЭ МАКС}(R_ЭБ≤ 10кОм), В 45

– постоянное напряжение эмиттер-база, U_{ЭБ МАКС}, В 5

– постоянная рассеиваемая мощность Р_К, мВт 300

Кремниевый n-p-n транзистор с нормированным коэффициентом шума на частоте

60МГц предназначен для применения в линейных усилителях и генераторах высокой частоты.

– граничная частота f_ГРкоэффициента передачи тока в схеме с общим

– статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

– крутизна вольтамперной характеристики S (I_К = 5мА, U_КЭ = 5В), мА/В 35

– обратный ток коллектора I_{К ОБР} (U_КБ =15В), мкА, не более 0, 5

– емкость коллекторного перехода С_К (U_КБ = 5В), пФ, не более 1, 7

– емкость эмиттерного перехода С_Э, пФ не более 3

– коэффициент шума К_Ш на частоте 60 МГц, дБ, не более 3, 3

– постоянное напряжение коллектор-эмиттер (R_ЭБ≤ 3кОм), В 15

– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 225

Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор2П341А с затвором на основе

p-n перехода и каналом n–типа предназначен для применения в высокочастотных линейных

усилителях, преобразователях частоты и автогенераторах (гетеродинах).

– коэффициент шума (на частоте 400МГц) К_Ш, дБ не более 2, 8

– крутизна вольтамперной характеристики S, мА/В 15 - 30

– входная емкость (затвор – исток) С_ВХ, пФ не более 5

– выходная емкость (сток – исток), пФ не более 1, 6

– проходная емкость (сток – затвор), пФ не более 1

– постоянная рассеиваемая мощность Р_{СТ МАКС}, мВт 150

1.Условные обозначения функциональных узлов и каскадов в схеме электрической