💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее.
✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать».
Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами!

Порядок выполнения работы. 5. 1. С помощью тумблера Треж выбрать схему для снятия статических характеристик по схеме с общей базой

5.1. С помощью тумблера Треж выбрать схему для снятия статических характеристик по схеме с общей базой. Сначала проверяется возможность снятия входных характеристик. Для этого потенциометром R2 устанавливается напряжение Uкб порядка 50 - 60 % от наибольшего значения этого напряжения для исследуемого транзистора. Поддерживая это напряжение постоянным, изменяют напряжение Uэб с помощью потенциометра R1 и следят за показаниями миллиамперметра, измеряющего ток эмиттера Iэ, величина которого должна меняться в пределах, достаточных для снятия входных характеристик транзистора.

Затем проверяют возможность снятия выходных характеристик. Для этого устанавливают движок потенциометра R1 всреднее положение, а движок потенциометра R2 - в крайнее левое положение, соответствующее минимальному подводимому напряжению. Изменяя потенциометром R2 напряжение Uкб и поддерживая величину тока эмиттера Iэ с помощью потенциометра R1, следят за изменением тока коллектора. Последний должен плавно изменяться в пределах, позволяющих снять выходные статические характеристики транзистора.

5.2. Снятие входных статических характеристик транзистора.

Для снятия зависимости Iб = f (Uэб) необходимо изменять напряжение, подводимое к эмиттерному р - n - переходу потенциометром R1. При снятии этой зависимости необходимо следить за тем, чтобы напряжение между базой и коллектором оставалось постоянным. Последнее обеспечивается потенциометром R2. Перед снятием характеристик заготавливают таблицу наблюдений.

Табл. 5.1 Входные статические характеристики транзистора включенного по схеме с общей базой.

Входные статические характеристики транзистора снимают для Uкб = О В и трех значений напряжений Uкб, отличающихся между собой на 25 - 35 %. Величины напряжений U'кб, U" кб, U" 'кб зависят от типа исследуемого транзистора и выбираются студентом самостоятельно по справочнику. Значения фиксируемых напряжений Uкб, U " кб, U" ' кб должны быть внесены в таблицу наблюдений при подготовке к работе дома и представлены на проверку преподавателю при получении допуска к выполнению лабораторной работы. Напряжения между базойи эмиттером изменяют потенциометром R 1.

5.3. Снятие выходных статических характеристик транзистора.

Перед снятием выходных характеристик заготавливают таблицу наблюдений

Табл. 5.2 Выходные статические характеристики транзистора включенного по схеме с общей базой.

Выходные статические характеристики снимают для четырех значений тока эмиттера Iэ, I'э, I" э, I" 'э, которые устанавливают потенциометром R1 к поддерживают в процессе наблюдений неизменными. Величины токов эмиттера зависят от типа исследуемого транзистора. Напряжение Uкб изменяют потенциометром R2 от0до10-15В через 2-3 В.

5.4. Построение графиков статических характеристик.

На основании результатов наблюдений, представленных в табл. 5.1. и 5.2., в прямоугольной системе координат строят семейство входных и выходных характеристик транзистора. Примерный вид этих характеристик приведен на рис. 5.1. и 5.2. Путем переноса соответствующих точек со входных и выходных характеристик строят характеристики передачи и обратной связи. Примерный вид этих характеристик приведен на рис. 5.3. и 5.4.

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА.

Отчет по лабораторной работе составляется каждым студентом индивидуально и должен содержать:

1.Точное наименование и цель работы.

2.Таблицу основных данных используемого транзистора.

3.Схему для снятия характеристик транзистора с краткой характеристикой
входящих в нее элементов.

4.Таблицы наблюдений и расчетов.

5.Статические характеристики транзистора.

6.Краткие выводы по работе

Контрольные вопросы:

1. Почему величина напряжения Uкб оказывает малое влияние на входные

характеристики транзистора?

2. Объясните механизм протекания тока через эмиттерный переход для случая,

когда Uэб = 0, аUбк≠ 0?

3. Покажите полярность подключения питания в схеме с различными типами

транзисторов?

4. В чем отличие входных характеристик в схемах с общей базой и с общим
эмиттером и почему?

5. Назовите особенности и основные параметры схемы с общей базой? 6. Назовите область применения схем с общей базой?