💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее.
✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать».
Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами!

Порядок выполнения работы. 5. 1. Изучение и опробование схемы.

5.1. Изучение и опробование схемы.

С помощью тумблера Т реж выбрать схему для снятия статических характеристик полупроводникового транзистора включенного по схеме с общим эмиттером. Сначала проверяется возможность снятия входных характеристик. Для этого необходимо установить потенциометр R 1 в крайнее левое положение, соответствующее минимальному подводимому напряжению, а потенциометр R2 в среднее положение. После этого включить питание стенда. Постепенно увеличивая подводимое напряжение потенциометром R1 и наблюдая за показаниями приборов необходимо убедится в работоспособности схемы. При увеличении напряжения U эб величина тока базы / б должна изменятся в пределах, достаточных для снятия входных характеристик транзистора. Затем проверяют возможность снятия выходных характеристик. Для этого устанавливают движок потенциометра R1 в среднее положение, а движок потенциометра R 2 - в крайнее левое положение, соответствующее минимальному. подводимому напряжению. Изменяя потенциометром R2 напряжение Uкз, следят за величиной тока коллектора Iк, который должен плавно изменятся в пределах, позволяющих снять выходные статические характеристики транзистора.

5.2. Снятие входных статических характеристик транзистора.

Для снятия зависимости Iб — f (U эб) необходимо изменять напряжение, подводимое к эмиттерному р-n- переходу потенциометром R1. При снятие этой зависимости необходимо следить за тем, чтобы напряжение между эмиттером и коллектором оставалось постоянным. Последнее обеспечивается потенциометром R2. Перед снятием характеристик заготавливают таблицу наблюдений.

Табл. 4.1. Входные статические характеристики транзистора включенного по схеме с

общим эмиттером.

Входные статические характеристики транзистора снимают для Uэ = О В и трех значений напряжений Uкэ, отличающихся между собой на 25 - 30 %. Величины напряжений U'кэ, U" кэ, U" 'кэ зависят от типа исследуемого транзистора. Например, для транзистора МП40А максимальное напряжение Uкэ не должно превышать 20 В. Напряжение между базой и эмиттером изменяют потенциометром R1 от 0 до 200 - 300 мВ.

Следует обратить внимание на то, что входные статические характеристики, снятые при различных Uкэ ≠ 0 практически не отличаются друг от друга и дать объяснение этому явлению.

5.3. Снятие выходных статических характеристик транзистора.

Для снятия зависимости 1к=ƒ (Uкэ) необходимо следить за тем чтобы ток базы оставался постоянным. Последнее обеспечивается потенциометром R1. Данные наблюдений записываются в заранее заготовленную таблицу наблюдений.

Табл. 4.2. Выходные статические характеристики транзистора включенного по схеме

с общим эмиттером.

Выходные статические характеристики снимают для четырех значений тока базы 1б, I ' б, I " б,

I б " ', которые устанавливают потенциометром R1 и поддерживают н процессе наблюдений неизменными. Величины тока базы завися! от типа исследуемого транзистора. Для транзистора МП04А напряжение эмиттер - база Uэб не должно превышать 10 В.

5.4. Построение статических характеристик транзистора.

На основании результатов наблюдений, представленных в табл. № 4.1. и 4.2., в прямоугольной системе координат строят семейства входных и выходных характеристик транзистора. Примерный вид этих характеристик приведен на рис. 4.1. и 4.2. Путем переноса соответствующих точек, со входных и выходных характеристик строят характеристики передачи и обратной связи. Примерный вид этих характеристик приведен на рис. 4.3. и 4.4.

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА.

Отчет по лабораторной работе составляется каждым студентом индивидуально и должен содержать:

6.1.Точное наименование и цель работы.

6.2. Таблицу основных данных используемого для исследований транзистора.

6.3. Схему для снятия статических характеристик транзистора с краткой

характеристикой входящих в него элементов.

6.4. Таблицы наблюдений и расчетов.

6.5. Статические характеристики транзистора (входные, выходные, передачи, обратной связи).

Контрольные вопросы:

1. Назовите особенности схемы с общим эмиттером?

2. Область применения схем с общим эмиттером?

3. Что такое модуляция ширины базы и как она влияет на характеристики транзистора?

4. Почему выходные характеристики в начальной части имеют большую крутизну, чем при больших значениях U ок?

5. Дайте определение входной статической характеристики транзистора?

6. Дайте определения выходной статической характеристики транзистора?

7. Что такое характеристики передачи? Объяснить характер этих зависимостей?

8. Что такое характеристика обратной связи? Что она характеризует?

9. Как влияет температура на статические характеристики транзистора?

10.Покажите полярность подключения питания в схеме с общим эмиттером при использовании транзисторов с различными типами проводимости?