Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте
    Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое расписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
    Для новых пользователей первый месяц бесплатно.
    Чат-бот для мастеров и специалистов, который упрощает ведение записей:
    Сам записывает клиентов и напоминает им о визите;
    Персонализирует скидки, чаевые, кэшбэк и предоплаты;
    Увеличивает доходимость и помогает больше зарабатывать;
    Начать пользоваться сервисом
  • Ширина обедненной зоны






    Вслучае сильного легирования n – области все приложенное напряжение смещения падает на p -область, поскольку ее сопротивление больше (приблизительно Nd/Na раз).Такая ситуация характерна для полупроводниковых детекторов, и в этом случае ширина обедненной зоны

    ,

    где k – диэлектрическая постоянная полупроводника; Na плотность электрически активных центров в слаболегированной области. Если в полупроводнике р -типа есть и донорные уровни, то Na – разность между концентрациями доноров и акцепторов; U – напряжение смещения; Uo скачок потенциала на переходе; U0 0, 7 Bдля Si и U0 0, 3 Bдля Ge. Число основных носителей для неохлажденного примесного полупроводника приближенно равно числу атомов примеси (Na в нашем примере), следовательно, ширину обедненной зоны можно выразить через удельное сопротивление и подвижность основных носителей слаболегированного материала. Учитывая, что всегда U > U о, и для оценки считая подвижность постоянной, получаем приближенное выражение для ширины обедненной зоны d. Для кремния

    ,

    где ρ – в к ом ·см, U – вBдля U = 500 Bи ρ – 20 к ом ·см, а именно таким сопротивлением обладают лучшие образцы р -кремния, находим d = 0, 13 см.

    Показательно, что для получения чувствительной области глубиной 0, 1 сми площадью 1 см2с однородным счетчиком при хорошем отношении сигнала к шуму нужен был бы полупроводник с удельным сопротивлением, равным примерно 109 ·см. Величина максимальной напряженности электрического поля в переходе такого типа дается выражением

    .

    Эта величина интересна по двум причинам. Если Е макс достигает значений, больших 2.104 B/см, то возможно возникновение вторичной ионизации. Кроме того, если скорость дрейфа носителей, равная произведению E·μ, достигает значений, сравнимых с тепловой скоростью электронов в решетке (~107 см/с), то она перестает зависеть от напряженности электрического поля. Этот эффект может оказаться важным, при оценке времени собирания носителей.






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.