Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Исследование статических характеристик. Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом.






    И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ

    p-n ПЕРЕХОДОМ

     

    Цель работы

     

    Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом.

    В работе снимаются передаточные (сток - затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.

     

    Подготовка к работе

     

    2.1 Изучить следующие вопросы курса:

     

    2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.

    2.1.2 Схемы включения ПТ.

    2.1.3 Статические характеристики и параметры ПТ.

    2.1.4 Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.

     

    2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

     

    2.2.1 Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором.

    2.2.2 Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.

    2.2.3 Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.

    2.2.4 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов и структур.

    2.2.5 Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.

    2.2.6 Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n».

    2.2.7 Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.

    2.2.8 Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.

    Литература

    Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.

    Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).

    Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).

    Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).

    Конспект лекций.

     

    Транзисторы, исследуемые в работе

     

    В лабораторном макете предусмотрена возможность исследования полевых транзисторов любого типа и структуры. Конкретный тип исследуемого прибора указывает преподаватель.

    Для заданного преподавателем типа ПТ пользуясь справочником, выписать предельно-допустимые значения IС МАКС, UСИ МАКС, UЗИ МАКС, PС МАКС. Привести рисунок внешнего вида ПТ с указанием выводов.

    При установке в макет МДП транзисторов следует соблюдать меры предосторожности с целью исключения пробоя участка затвор-канал статическими зарядами электричества. Для этого перед монтажом производят закоротку выводов транзистора вблизи корпуса специальной перемычкой.

    После сборки схемы перемычку убирают.

     






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.