Исследование статических характеристик. Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом.

И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ

p-n ПЕРЕХОДОМ

Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом.

В работе снимаются передаточные (сток - затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.

Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.

2.1.2 Схемы включения ПТ.

2.1.3 Статические характеристики и параметры ПТ.

2.1.4 Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором.

2.2.2 Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.

2.2.3 Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.

2.2.4 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов и структур.

2.2.5 Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.

2.2.6 Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n».

2.2.7 Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.

2.2.8 Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.

Литература

Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.

Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).

Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).

Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).

Конспект лекций.

Транзисторы, исследуемые в работе

В лабораторном макете предусмотрена возможность исследования полевых транзисторов любого типа и структуры. Конкретный тип исследуемого прибора указывает преподаватель.

Для заданного преподавателем типа ПТ пользуясь справочником, выписать предельно-допустимые значения I_{С МАКС}, U_{СИ МАКС}, U_{ЗИ МАКС}, P_{С МАКС}. Привести рисунок внешнего вида ПТ с указанием выводов.

При установке в макет МДП транзисторов следует соблюдать меры предосторожности с целью исключения пробоя участка затвор-канал статическими зарядами электричества. Для этого перед монтажом производят закоротку выводов транзистора вблизи корпуса специальной перемычкой.

После сборки схемы перемычку убирают.