Цель работы

Используя математическую модель диода исследовать влияние параметров модели и температуры на характеристики диодов.

Подготовка к работе

При подготовке к работе изучить вопросы, указанные в разделе 2 лабораторной работы № 1.

Содержание работы.

В этом разделе изучается влияние температуры и материала на вольт- амперную характеристику полупроводниковых диодов. Изучение производится без использования реальных диодов, а по их математическим моделям

, (1)

где I₀ - тепловой ток, в основном зависящий от температуры и ширины запрещенной зоны исходного полупроводника, m - коэффициент, зависящий от материала и технологии изготовления диодов.

Вольтамперные характеристики модели, рассчитанные по формуле (1), достаточно хорошо совпадают с характеристиками реальных диодов при подстановке соответствующих I₀ и m.

Исследование модели диода выполняется на ЭВМ, в программу работы которой заложена формула (1).

По заданию студента ЭВМ рассчитывает характеристики модели диода для заданной температуры и ширины запрещенной зоны полупроводника.

По результатам расчета на экране монитора строится график, что позволяет после изменения того или иного параметра модели (DW и T) увидеть результаты этого изменения.

Сразу после запуска программы на экране монитора изображается две шкалы параметров в виде:

Т⁰, С = 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ´ 10.

DW, Эв = 0.7; 1.1; 1.4.

Одновременно выводится график ВАХ для параметров модели, подсвеченных на шкалах Т и DW. Изменение этих параметров осуществляется нажатием клавиш ®,, при этом на шкале отмечается соответственно очередное правое или левое значение параметра. Для того, чтобы перейти к другой шкале необходимо пользоваться клавишами ­и ¯. Следует обратить внимание, что при изменении температуры изменяется множитель по оси обратного тока.