Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?
Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже.
Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал.
Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее. ✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать». Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами! Шпаргалка
Электроника; ФОМ; электроника и МПУ Перечень работ Исследование полупроводниковых диодов. Исследование полупроводниковых стабилитронов. 3. Статические характеристики и параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой. Статические характеристики и параметры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. 5. Усилительный и ключевой режимы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. 6. Статические характеристики и параметры полевого транзистора с управляющим p-n- переходом. 7. Усилительный режим полевого транзистора с управляющим p-n- переходом. 8. Исследование светоизлучающих полупроводниковых приборов и оптоэлектронных пар. ******************************************************* Электронные и микроэлектронные приборы Методические указания к лабораторным работам Под редакцией С.М. Ершова ШПАРГАЛКА
РАБОТА №1 Полупроводниковые диоды (ВАХ, выпрямляющее свойства диода) Д9-грманиевый, Д102- кремниевый Д102
Положение кнопок S1–обе отжаты (питание +); при нажатии (питание -) S2 – нажата “3” клавиша (1 ком) S3– нажата (mA); отжата (mA) S5- отжата S6- нажата S7- отжата
ВАХ 1. Измерения - в приборную розетку вставляют диод+ резистор (Д102), потом (Д9) - при снятии прямой ветви S1 отжата, S3– нажата (mA) - при снятии обратной ветви S1 нажата, S3 – отжата (mA)
Снять вольт- амперные характеристики двух диодов прямой и обратной ветви
2. Построить ВАХ прямой и обратной петли для двух диодов на одном графике
Наблюдать по осциллографу выпрямляющее действие диода. (Д102+R), 3. Измерения Синусоидальный сигнал с частотой 1 кГц (10, 0)Hz, множитель в положении 102, выход II, (ослабление 0db) подается на вход “Г“. Кабель: короткий – сигнальный, длинный – корпусной На S2 нажимают клавишу “4” и пользуются переменным резистором R3 (серая ручка рядом с V1) S1– нажата, на аноде (питание -), S7- нажата
4. Расчеты - рассчитать параметры диодов. см. Ершов_СМ_Методичка_ЭMП.doc
5. Выводы
ШПАРГАЛКА РАБОТА №2 Полупроводниковый стабилитрон КС147 или КС139 (Последние 2 цифры обозначают напряжение стабилизации, 4, 7 В и 3, 9В)
Положение кнопок S1– (+) обе отжаты; S2 – нажата “3” клавиша (1 ком) S3– всегда нажата (mA); S5- отжата S6- нажата S7- отжата
1. Измерения Снять вольт- амперную характеристику обратной ветви и определить U стабилизации
2. Построить ВАХ обратной петли
3. Расчеты - рассчитать параметры диодов. см. Ершов_СМ_Методичка_ЭMП.doc
4. Выводы
ШПАРГАЛКА РАБОТА №4 Статические х-ки биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером n-p-n, КТ37 или КТ38
Положение кнопок Входная цепь: S1– (+) обе отжаты; S2 – нажата “2” клавиша (30 ком) S3 –отжата (мкA) на пределе “300”; S6- нажата (V1) Выходная цепь: S7- нажата (V2) на пределе 30В S4–в положении “1“ (без нагрузки)
Измерения 1. входная и проходная характеристики транзистора На блоке питания (слева) имеются две черные ручки (рядом) левая - установка напряжения на базе (ток базы) правая - установка напряжения на коллекторе Выставляем Uк (V2)=const (не более 12В), меняем ток базы IБ (от 0 до 300мкА), фиксируем изменение тока коллектора IК и UБ (по вольтметру В7-26, шкала 0, 3В) Пределы (не более): Uк =10В, IК =15мА, IБ=300мкА
Результаты измерений заносим в таблицу 1 таблица 1
2. выходная характеристика транзистора На блоке питания (слева) имеются две черные ручки (рядом) левая - установка напряжения на базе (ток базы) правая - установка напряжения на коллекторе Выставляем ток базы IБ =const (от 10 до 300мкА), меняем Uк (V2) от 0 до 12В, фиксируем изменение тока коллектора IК Пределы (не более): Uк =15В, IК =15мА, IБ=300мкА
Результаты измерений заносим в таблицу 2 таблица 2
3. Построить входную, выходную и проходную характеристики транзистора 4. Расчеты - рассчитать h -параметры 5. Выводы
|