Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Как продвинуть сайт на первые места?
    Вы создали или только планируете создать свой сайт, но не знаете, как продвигать? Продвижение сайта – это не просто процесс, а целый комплекс мероприятий, направленных на увеличение его посещаемости и повышение его позиций в поисковых системах.
    Ускорение продвижения
    Если вам трудно попасть на первые места в поиске самостоятельно, попробуйте технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Если ни один запрос у вас не продвинется в Топ10 за месяц, то в SeoHammer за бустер вернут деньги.
  • Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте
    Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое расписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
    Для новых пользователей первый месяц бесплатно.
    Чат-бот для мастеров и специалистов, который упрощает ведение записей:
    Сам записывает клиентов и напоминает им о визите;
    Персонализирует скидки, чаевые, кэшбэк и предоплаты;
    Увеличивает доходимость и помогает больше зарабатывать;

Задача 29






Получить выражение для времени релаксации в Ge при Т=500К для случаев: а) одновременного действия механизмов рассеяния на ионазх примеси и акустических фононах* б) одновременного действия механизмов рассеяния на ионах примеси и оптических фононах.

 

Задача 30

Получить выражение для удельной электрической проводимости и дрейфовой подвижности электронов для случая, когда носители зарядов рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, а полупроводник сильно вырожден , - уровень Ферми.

 

Задача 31

Носители заряда в полупроводнике рассеиваются на акустических колебаниях решетки и на ионах примеси по закону mак = mион . Найти температуру, при которой подвижность максимальна.

 

Задача 32.

27. Определить коэффициент диффузии электронов и дырок в невырожденных германии и кремнии при Т = 300К, если подвижности электронов и дырок при этой температуре равны:

Si: mn =1450 см2/В× с; mp =500 см2/В× с;

Ge: mn =3800 см2/В× с; mP =1800 см2/В× с;

 

 

Задача 33

В образце n-Ge с концентрацией n = 1014 –3 рекомбинация происходит на простых центрах. Их энергетический уровень Et расположен в верхней половине запрещенной зоны и Nt = 2× 1012 см-3. При Т=300К время жизни равно t =2 мкс. При снижении температуры t ~ T-1/2. Считая постоянными no и сечение захвата дырок Sp определить Sp и Et.

 

Задача 34

Вычислить диффузионную длину электронов в невырожденном Ge при Т=300К, если время жизни электронов составляет

 

Задача 35

В момент времени t=10-4c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар, их неравновесная концентрацияоказалась в 10 раз больше, чем в момент времени t=10-3c. Определить время жизни, если уровень возбуждения невелик. Рекомбинация идет через простые центры.

 

Задача 36

При комнатной температуре в Ge т-типа имеется центр рекомбинации с Nt =5.1012 см-3, а Et = (Ec+Ev)/2. Считать отклонение от равновесия малым, а t = 10-4с, r= 5 Ом.см. Найти сечения захвата электронов и дырок, полагая их равными.

 

Задача 37

Определить значение Холл-фактора при сильном вырождении (m/кТ > 10) при рассеянии только на ионах примеси, либо только на фононах.

 

 

Задача 38

Получить выражение для времени релаксации в Ge при Т=500К для случаев: а) одновременного действия механизмов рассеяния на ионазх примеси и акустических фононах* б) одновременного действия механизмов рассеяния на ионах примеси и оптических фононах.

 

 

Задача 39

Получить выражение для удельной электрической проводимости и дрейфовой подвижности электронов для случая, когда носители зарядов рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, а полупроводник сильно вырожден , - уровень Ферми.

 

 

Задача 40

Носители заряда в полупроводнике рассеиваются на акустических колебаниях решетки и на ионах примеси по закону mак = mион . Найти температуру, при которой подвижность максимальна.

 

Задача 41.

27. Определить коэффициент диффузии электронов и дырок в невырожденных германии и кремнии при Т = 300К, если подвижности электронов и дырок при этой температуре равны:

Si: mn =1450 см2/В× с; mp =500 см2/В× с;

Ge: mn =3800 см2/В× с; mP =1800 см2/В× с;

 

Задача 42

В образце n-Ge с концентрацией n = 1014 –3 рекомбинация происходит на простых центрах. Их энергетический уровень Et расположен в верхней половине запрещенной зоны и Nt = 2× 1012 см-3. При Т=300К время жизни равно t =2 мкс. При снижении температуры t ~ T-1/2. Считая постоянными no и сечение захвата дырок Sp определить Sp и Et.

 

Задача 43.

Вычислить диффузионную длину электронов в невырожденном Ge при Т=300К, если время жизни электронов составляет

 

Задача 44.

В момент времени t=10-4c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар, их неравновесная концентрацияоказалась в 10 раз больше, чем в момент времени t=10-3c. Определить время жизни, если уровень возбуждения невелик. Рекомбинация идет через простые центры.

 

Задача 45.

При комнатной температуре в Ge т-типа имеется центр рекомбинации с Nt =5.1012 см-3, а Et = (Ec+Ev)/2. Считать отклонение от равновесия малым, а t = 10-4с, r= 5 Ом.см. Найти сечения захвата электронов и дырок, полагая их равными.






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.