Как продвинуть сайт на первые места?

Вы создали или только планируете создать свой сайт, но не знаете, как продвигать? Продвижение сайта – это не просто процесс, а целый комплекс мероприятий, направленных на увеличение его посещаемости и повышение его позиций в поисковых системах.

Ускорение продвижения

Если вам трудно попасть на первые места в поиске самостоятельно, попробуйте технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Если ни один запрос у вас не продвинется в Топ10 за месяц, то в SeoHammer за бустер вернут деньги.

Начать продвижение сайта

Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое расписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
Для новых пользователей первый месяц бесплатно.

Чат-бот для мастеров и специалистов, который упрощает ведение записей:

— Сам записывает клиентов и напоминает им о визите;
— Персонализирует скидки, чаевые, кэшбэк и предоплаты;
— Увеличивает доходимость и помогает больше зарабатывать;

Начать пользоваться сервисом

Задача 29

Получить выражение для времени релаксации в Ge при Т=500К для случаев: а) одновременного действия механизмов рассеяния на ионазх примеси и акустических фононах* б) одновременного действия механизмов рассеяния на ионах примеси и оптических фононах.

Задача 30

Получить выражение для удельной электрической проводимости и дрейфовой подвижности электронов для случая, когда носители зарядов рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, а полупроводник сильно вырожден , - уровень Ферми.

Задача 31

Носители заряда в полупроводнике рассеиваются на акустических колебаниях решетки и на ионах примеси по закону m_ак = m_ион . Найти температуру, при которой подвижность максимальна.

Задача 32.

27. Определить коэффициент диффузии электронов и дырок в невырожденных германии и кремнии при Т = 300К, если подвижности электронов и дырок при этой температуре равны:

Si: m_n =1450 см²/В× с; m_p =500 см²/В× с;

Ge: m_n =3800 см²/В× с; m_P =1800 см²/В× с;

Задача 33

В образце n-Ge с концентрацией n = 10¹⁴ cм^–3 рекомбинация происходит на простых центрах. Их энергетический уровень E_t расположен в верхней половине запрещенной зоны и N_t = 2× 10¹² см^-3. При Т=300К время жизни равно t =2 мкс. При снижении температуры t ~ T^-1/2. Считая постоянными n_o и сечение захвата дырок S_p определить S_p и E_t^.

Задача 34

Вычислить диффузионную длину электронов в невырожденном Ge при Т=300К, если время жизни электронов составляет

Задача 35

В момент времени t=10^-4c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар, их неравновесная концентрацияоказалась в 10 раз больше, чем в момент времени t=10^-3c. Определить время жизни, если уровень возбуждения невелик. Рекомбинация идет через простые центры.

Задача 36

При комнатной температуре в Ge т-типа имеется центр рекомбинации с N_t =5.10¹² см^-3, а E_t = (E_c+E_v)/2. Считать отклонение от равновесия малым, а t = 10-4с, r= 5 Ом.см. Найти сечения захвата электронов и дырок, полагая их равными.

Задача 37

Определить значение Холл-фактора при сильном вырождении (m/кТ > 10) при рассеянии только на ионах примеси, либо только на фононах.

Задача 38

Получить выражение для времени релаксации в Ge при Т=500К для случаев: а) одновременного действия механизмов рассеяния на ионазх примеси и акустических фононах* б) одновременного действия механизмов рассеяния на ионах примеси и оптических фононах.

Задача 39

Получить выражение для удельной электрической проводимости и дрейфовой подвижности электронов для случая, когда носители зарядов рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, а полупроводник сильно вырожден , - уровень Ферми.

Задача 40

Носители заряда в полупроводнике рассеиваются на акустических колебаниях решетки и на ионах примеси по закону m_ак = m_ион . Найти температуру, при которой подвижность максимальна.

Задача 41.

27. Определить коэффициент диффузии электронов и дырок в невырожденных германии и кремнии при Т = 300К, если подвижности электронов и дырок при этой температуре равны:

Si: m_n =1450 см²/В× с; m_p =500 см²/В× с;

Ge: m_n =3800 см²/В× с; m_P =1800 см²/В× с;

Задача 42

В образце n-Ge с концентрацией n = 10¹⁴ cм^–3 рекомбинация происходит на простых центрах. Их энергетический уровень E_t расположен в верхней половине запрещенной зоны и N_t = 2× 10¹² см^-3. При Т=300К время жизни равно t =2 мкс. При снижении температуры t ~ T^-1/2. Считая постоянными n_o и сечение захвата дырок S_p определить S_p и E_t^.

Задача 43.

Вычислить диффузионную длину электронов в невырожденном Ge при Т=300К, если время жизни электронов составляет

Задача 44.

В момент времени t=10^-4c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар, их неравновесная концентрацияоказалась в 10 раз больше, чем в момент времени t=10^-3c. Определить время жизни, если уровень возбуждения невелик. Рекомбинация идет через простые центры.

Задача 45.

При комнатной температуре в Ge т-типа имеется центр рекомбинации с N_t =5.10¹² см^-3, а E_t = (E_c+E_v)/2. Считать отклонение от равновесия малым, а t = 10-4с, r= 5 Ом.см. Найти сечения захвата электронов и дырок, полагая их равными.