![]() Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Задача 29 ⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2
Получить выражение для времени релаксации в Ge при Т=500К для случаев: а) одновременного действия механизмов рассеяния на ионазх примеси и акустических фононах* б) одновременного действия механизмов рассеяния на ионах примеси и оптических фононах.
Задача 30 Получить выражение для удельной электрической проводимости и дрейфовой подвижности электронов для случая, когда носители зарядов рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, а полупроводник сильно вырожден
Задача 31 Носители заряда в полупроводнике рассеиваются на акустических колебаниях решетки и на ионах примеси по закону mак =
Задача 32. 27. Определить коэффициент диффузии электронов и дырок в невырожденных германии и кремнии при Т = 300К, если подвижности электронов и дырок при этой температуре равны: Si: mn =1450 см2/В× с; mp =500 см2/В× с; Ge: mn =3800 см2/В× с; mP =1800 см2/В× с;
Задача 33 В образце n-Ge с концентрацией n = 1014 cм–3 рекомбинация происходит на простых центрах. Их энергетический уровень Et расположен в верхней половине запрещенной зоны и Nt = 2× 1012 см-3. При Т=300К время жизни равно t =2 мкс. При снижении температуры t ~ T-1/2. Считая постоянными no и сечение захвата дырок Sp определить Sp и Et. Забиваем Сайты В ТОП КУВАЛДОЙ - Уникальные возможности от SeoHammer
Каждая ссылка анализируется по трем пакетам оценки: SEO, Трафик и SMM.
SeoHammer делает продвижение сайта прозрачным и простым занятием.
Ссылки, вечные ссылки, статьи, упоминания, пресс-релизы - используйте по максимуму потенциал SeoHammer для продвижения вашего сайта.
Что умеет делать SeoHammer
— Продвижение в один клик, интеллектуальный подбор запросов, покупка самых лучших ссылок с высокой степенью качества у лучших бирж ссылок. — Регулярная проверка качества ссылок по более чем 100 показателям и ежедневный пересчет показателей качества проекта. — Все известные форматы ссылок: арендные ссылки, вечные ссылки, публикации (упоминания, мнения, отзывы, статьи, пресс-релизы). — SeoHammer покажет, где рост или падение, а также запросы, на которые нужно обратить внимание. SeoHammer еще предоставляет технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней.
Задача 34 Вычислить диффузионную длину электронов в невырожденном Ge при Т=300К, если время жизни электронов составляет
Задача 35 В момент времени t=10-4c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар, их неравновесная концентрацияоказалась в 10 раз больше, чем в момент времени t=10-3c. Определить время жизни, если уровень возбуждения невелик. Рекомбинация идет через простые центры.
Задача 36 При комнатной температуре в Ge т-типа имеется центр рекомбинации с Nt =5.1012 см-3, а Et = (Ec+Ev)/2. Считать отклонение от равновесия малым, а t = 10-4с, r= 5 Ом.см. Найти сечения захвата электронов и дырок, полагая их равными.
Задача 37 Определить значение Холл-фактора при сильном вырождении (m/кТ > 10) при рассеянии только на ионах примеси, либо только на фононах.
Задача 38 Получить выражение для времени релаксации в Ge при Т=500К для случаев: а) одновременного действия механизмов рассеяния на ионазх примеси и акустических фононах* б) одновременного действия механизмов рассеяния на ионах примеси и оптических фононах.
Задача 39 Получить выражение для удельной электрической проводимости и дрейфовой подвижности электронов для случая, когда носители зарядов рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, а полупроводник сильно вырожден Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте
Попробуйте сервис онлайн-записи VisitTime на основе вашего собственного Telegram-бота:— Разгрузит мастера, специалиста или компанию; — Позволит гибко управлять расписанием и загрузкой; — Разошлет оповещения о новых услугах или акциях; — Позволит принять оплату на карту/кошелек/счет; — Позволит записываться на групповые и персональные посещения; — Поможет получить от клиента отзывы о визите к вам; — Включает в себя сервис чаевых. Для новых пользователей первый месяц бесплатно.
Задача 40 Носители заряда в полупроводнике рассеиваются на акустических колебаниях решетки и на ионах примеси по закону mак =
Задача 41. 27. Определить коэффициент диффузии электронов и дырок в невырожденных германии и кремнии при Т = 300К, если подвижности электронов и дырок при этой температуре равны: Si: mn =1450 см2/В× с; mp =500 см2/В× с; Ge: mn =3800 см2/В× с; mP =1800 см2/В× с;
Задача 42 В образце n-Ge с концентрацией n = 1014 cм–3 рекомбинация происходит на простых центрах. Их энергетический уровень Et расположен в верхней половине запрещенной зоны и Nt = 2× 1012 см-3. При Т=300К время жизни равно t =2 мкс. При снижении температуры t ~ T-1/2. Считая постоянными no и сечение захвата дырок Sp определить Sp и Et.
Задача 43. Вычислить диффузионную длину электронов в невырожденном Ge при Т=300К, если время жизни электронов составляет
Задача 44. В момент времени t=10-4c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар, их неравновесная концентрацияоказалась в 10 раз больше, чем в момент времени t=10-3c. Определить время жизни, если уровень возбуждения невелик. Рекомбинация идет через простые центры.
Задача 45. При комнатной температуре в Ge т-типа имеется центр рекомбинации с Nt =5.1012 см-3, а Et = (Ec+Ev)/2. Считать отклонение от равновесия малым, а t = 10-4с, r= 5 Ом.см. Найти сечения захвата электронов и дырок, полагая их равными.
|