Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Как продвинуть сайт на первые места?
    Вы создали или только планируете создать свой сайт, но не знаете, как продвигать? Продвижение сайта – это не просто процесс, а целый комплекс мероприятий, направленных на увеличение его посещаемости и повышение его позиций в поисковых системах.
    Ускорение продвижения
    Если вам трудно попасть на первые места в поиске самостоятельно, попробуйте технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Если ни один запрос у вас не продвинется в Топ10 за месяц, то в SeoHammer за бустер вернут деньги.
    Начать продвижение сайта
  • Технология изготовления микросхем






     

    Все элементы ИС и их соединения выполнены в едином технологическом цикле на общей подложке.

    Технологические процессы:

    а) наращивание полупроводникового материала на кремниевой подложке;

    б) термическое окисление кремния для получения слоя окисла SiO2, защищающего поверхность кристалла от внешней среды;

    в) фотолитография, обеспечивающая требуемые конфигурации пленок(SiO2, металл и т.п.) на поверхности подложки;

    г) локальная диффузия – перенос примесных атомов в ограниченные области полупроводника (в настоящее время – ионная имплантация легирующего вещества);

    д) напыление тонких (до 1 мкм) пленок;

    е) нанесение толстых (более 1 мкм) пленок путем использования специальных паст с их последующим вжиганием.

    ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности:

    1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок.

    2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов.

    3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах.

    4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов.

    5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации).

    Последовательность основных этапов построения полупроводниковой ИС:

    1. Выращивание кристалла кремния.

    2. Разрезка на пластины (200…300мкм, Ø 40 – 150мм).

    3. Очистка поверхности пластин.

    4. Получение элементов и их соединений на пластине.

    5. Разрезка пластин на отдельные части (кристаллы).

    6. Закрепление в корпусе.

    7. Подсоединение выводов с контактными площадками.

    8. Герметизация корпуса.

    Пр. Фотолитография:

    1. Очистка пластин.

    2. Нанесение фоторезистора.

    3. Сушка.

    4. Совмещение с фотошаблоном и экспонирование.

    5. Травление SiO2.

    6. Задубливание (сушка).

    7. Проявление.

    8. Удаление фоторезистора.

     

    Пр. Толстопленочная технология:

    1. Очистка подложек.

    2. Трафаретная печать.

    3. Сушка и вжигание.

    4. Подгонка.

    5. Монтаж в корпусе.

    6. Армирование.

    7. Монтаж компонентов.

    8. Присоединение выводов.

    9. Герметизация.

    10. Испытания.

     






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.