![]() Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Технология изготовления микросхем
Все элементы ИС и их соединения выполнены в едином технологическом цикле на общей подложке. Технологические процессы: а) наращивание полупроводникового материала на кремниевой подложке; б) термическое окисление кремния для получения слоя окисла SiO2, защищающего поверхность кристалла от внешней среды; в) фотолитография, обеспечивающая требуемые конфигурации пленок(SiO2, металл и т.п.) на поверхности подложки; г) локальная диффузия – перенос примесных атомов в ограниченные области полупроводника (в настоящее время – ионная имплантация легирующего вещества); д) напыление тонких (до 1 мкм) пленок; е) нанесение толстых (более 1 мкм) пленок путем использования специальных паст с их последующим вжиганием. ИС изготавливаются методами интегральной технологии, имеющей следующие отличительные особенности: 1. Элементы, однотипные по способу изготовления, представляют собой или полупроводниковые p-n структуры с несколькими областями, различающиеся концентрацией примесей или пленочные структуры из проводящих, резистивных и диэлектрических пленок. 2. Одновременно в едином технологическом цикле изготавливается большое количество одинаковых функциональных узлов, каждый из которых, в свою очередь, может содержать до сотен тысяч и более элементов. 3. Сокращается количество технологических операций (сборка, монтаж элементов) на несколько порядков по сравнению с традиционными методами производства аппаратуры на дискретных элементах. 4. Размеры элементов и соединений между ними уменьшаются до технологически возможных пределов. 5. Низконадежные соединения элементов, выполненные с помощью пайки, исключаются и заменяются высоконадежными соединениями (путем металлизации). Последовательность основных этапов построения полупроводниковой ИС: 1. Выращивание кристалла кремния. Забиваем Сайты В ТОП КУВАЛДОЙ - Уникальные возможности от SeoHammer
Каждая ссылка анализируется по трем пакетам оценки: SEO, Трафик и SMM.
SeoHammer делает продвижение сайта прозрачным и простым занятием.
Ссылки, вечные ссылки, статьи, упоминания, пресс-релизы - используйте по максимуму потенциал SeoHammer для продвижения вашего сайта.
Что умеет делать SeoHammer
— Продвижение в один клик, интеллектуальный подбор запросов, покупка самых лучших ссылок с высокой степенью качества у лучших бирж ссылок. — Регулярная проверка качества ссылок по более чем 100 показателям и ежедневный пересчет показателей качества проекта. — Все известные форматы ссылок: арендные ссылки, вечные ссылки, публикации (упоминания, мнения, отзывы, статьи, пресс-релизы). — SeoHammer покажет, где рост или падение, а также запросы, на которые нужно обратить внимание. SeoHammer еще предоставляет технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Зарегистрироваться и Начать продвижение 2. Разрезка на пластины (200…300мкм, Ø 40 – 150мм). 3. Очистка поверхности пластин. 4. 5. Разрезка пластин на отдельные части (кристаллы). 6. Закрепление в корпусе. 7. Подсоединение выводов с контактными площадками. 8. Герметизация корпуса.
1. Очистка пластин. 2. Нанесение фоторезистора. 3. Сушка. 4. Совмещение с фотошаблоном и экспонирование. 5. Травление SiO2. 6. Задубливание (сушка). 7. Проявление. 8. Удаление фоторезистора.
Пр. Толстопленочная технология: 1. Очистка подложек. 2. 3. 4. Подгонка. 5. Монтаж в корпусе. 6. Армирование. 7. Монтаж компонентов. 8. Присоединение выводов. 9. Герметизация. 10. Испытания.
|