Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?
Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже.
Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал.
Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее. ✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать». Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами! Элементы микросхем
Элементы полупроводниковых ИС. 1. Биполярные транзисторы – базовый элемент биполярной ИС. Как правило, n-p-n. Могут иметь несколько эмиттеров (многоэмиттерные). Изоляция от остальных элементов: 1) p-n переходом; 2) диэлектрической изоляцией (изопланарные транзисторы). Для повышения быстродействия транзисторов шунтируют коллекторный переход диодом Шотки, в котором используется переход металл-полупроводник (у ДШ на 30% ниже Δ Uпр). 2. Полупроводниковые диоды – используются эмиттерные или коллекторные переходы транзисторной структуры (обычно Э, а Б и К соединяют). 3. Полупроводниковые конденсаторы – на базе pn –переходов. Работают при закрывающем напряжении. С < = 100 пФ). 4. Резисторы – используются резистивные свойства областей Э (30-70 кОм), Б (10-100 кОм), К (2-100 Ом). 5. Элементы с инжекционным питанием. Ток возникает при вводе в базу (инжекции) избыточных носителей заряда. Для этого имеется специальный электрод – инжектор (генератор тока). 2 режима работы: 1) насыщение (инжекция, транзистор открыт); 2) отсечка (закрыт). Достоинства: 1) большая плотность размещения элементов (инжектор используется на 10…20 элементов) 2) самые экономичные (потребляемая мощность 0, 01…0, 1 мВт) 3) работа переключения мала (1 пДж) (tзадержки× Рпотреб. мощность) 6. МДП – транзисторы применяют с индуцированным и со встроенным каналом (канал n-типа). Достоинства: 1) более технологичны (в 1, 5 раза меньше операций по изготовлению); 2) меньшая площадь. 7. МДП – резисторы – используется сопротивление канала транзистора (> 200 кОм = f(Uзатвора)). 8. МДП – конденсаторы образуются металлическим затвором, подзатворным диэлектриком и сильно легированной областью n+ (С < = 1000 пФ) 9. Комплементарные МДП – транзисторы. Последовательное включение двух МДП – транзисторов с каналами разного типа проводимости. 10. МНОП – транзисторы (+ Н – нитрид кремния)
|