Условные графические обозначения резисторов

	Резистор постоянного сопротивления с одним симметричным выводом
	Резистор постоянного сопротивления с одним несимметричным выводом
	Шунт измерительный
	Резистор переменного сопротивления
	Резистор переменного сопротивления при реостатном включении
	Резистор переменного сопротивления при реостатном включении с нелинейным регулированием
	Резистор переменного сопротивления с дополнительными выводами
	Резистор подстроечный
	Резистор подстроечный в реостатном включении
	Тензорезистор линейный
	Тензорезистор нелинейный
	Терморезистор прямого подогрева с положительным температурным коэффициентом
	Терморезистор прямого подогрева с отрицательным температурным коэффициентом
	Терморезистор косвенного подогрева
	Варистор

Классификация современных полупроводниковых диодов (ПД) по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, исходному полупроводниковому материалу находит отражение в системе условных обозначений диодов в соответствии с ГОСТ 20859.1-89.

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, второй (буква) – подкласс приборов, третий (цифра) – основные функциональные возможности прибора, четвертый – число, обозначающее порядковый номер разработки, пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения исходного полупроводникового материала используются следующие символы:

Г, или 1 – германий или его соединения;

К, или 2 – кремний или его соединения;

А, или 3 – соединения галлия;

И, или 4 – соединения индия.

Для обозначения подклассов диодов используется одна из следующих букв:

Д – диоды выпрямительные и импульсные;

Ц – выпрямительные столбы и блоки;

В – варикапы;

И – туннельные диоды;

А – сверхвысокочастотные диоды;

С – стабилитроны;

Г – генераторы шума;

Л – излучающие оптоэлектронные приборы;

О – оптопары.

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры.

Диоды (подкласс Д):

1 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого

тока не более 0, 3 А;

2 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого

тока более 0, 3 А, но не свыше 10 А;

4 – импульсные диоды с временем восстановления обратного

сопротивления более 500 нс;

5 – импульсные диоды с временем восстановления более 150 нс, но не

свыше 500 нс;

6 – импульсные диоды с временем восстановления 30…150 нс;

7 – импульсные диоды с временем восстановления 5…30 нс;

8 – импульсные диоды с временем восстановления 1…5 нс;

9 – импульсные диоды с эффективным временем жизни неосновных

носителей заряда менее 1 нс.

Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

1 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока не более

0, 3 А;

2 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока 0, 3…10 А;

3 – блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0, 3 А;

4 – блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0, 3…10 А.

Варикапы (подкласс В):

1 – подстроечные варикапы;

2 – умножительные варикапы;

Туннельные диоды (подкласс И):

1 – усилительные туннельные диоды;

2 – генераторные туннельные диоды;

3 – переключательные туннельные диоды;

4 – обращенные диоды.

Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

1 – смесительные диоды;

2 – детекторные диоды;

3 – усилительные диоды;

4 – параметрические диоды;

5 – переключательные и ограничительные диоды;

6 – умножительные и надстроечные диоды;

7 – генераторные диоды;

8 – импульсные диоды.

Стабилитроны (подкласс С):

1 – стабилитроны мощностью не более 0, 3 Вт с номинальным

напряжением стабилизации менее 10 В;

2 – стабилитроны мощностью не более 0, 3 Вт с номинальным

напряжением стабилизации 10…100 В;

3 – стабилитроны мощностью не более 0, 3 Вт с номинальным

напряжением стабилизации более 100 В;

4 – стабилитроны мощностью не более 0, 3…5 Вт с номинальным

напряжением стабилизации менее 10 В;

5 - стабилитроны мощностью 0, 3…5 Вт с номинальным

напряжением стабилизации 10…100 В;

6 - стабилитроны мощностью 0, 3…5 Вт с номинальным

напряжением стабилизации более 100 В;

7 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным

напряжением стабилизации менее 10 В;

8 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным

напряжением стабилизации 10…100 В;

9 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным

напряжением стабилизации более 100 В.

Генераторы шума (подкласс Г):

1 – низкочастотные генераторы шума;

2 – высокочастотные генераторы шума.

Примеры обозначения приборов:

2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0, 3…10 А, номер разработки 04, группа В.

КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0, 5…5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, номер разработки 20, группа А.

ЗИ309Ж – арсенидогаллиевый переключательный туннельный диод, номер разработки 09, группа Ж.

Оптоэлектронными называют приборы, которые чувствительны к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой областях, а также приборы, производящие или использующие такое излучение.

Излучение в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой областях относят к оптическому диапазону спектра. Обычно к указанному диапазону относят электромагнитные волны с длиной от 1 нм до 1 мм, что соответствует частотам примерно от 0, 5· 10¹² Гц до 5· 10¹⁷ Гц. Иногда говорят о более узком диапазоне частот – от 10 нм до 0, 1 мм (~5· 10¹²…5· 10¹⁶ Гц). Видимому диапазону соответствуют длины волн от 0, 38 мкм до 0, 78 мкм (частота около 10¹⁵ Гц).

На практике широко используются источники излучения (излучатели), приемники излучения (фотоприемники) и оптроны (оптопары).

Оптроном называют прибор, в котором имеется и источник, и приемник излучения, конструктивно объединенные и помещенные в один корпус.

Из источников излучения нашли широкое применение светодиоды и лазеры, а из приемников – фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и фототиристоры.

Широко используются оптроны, в которых применяются пары светодиод-фотодиод, светодиод-фототранзистор, светодиод-фототиристор.

Основные достоинства оптоэлектронных приборов:

· высокая информационная емкость оптических каналов передачи информации, что является следствием больших значений используемых частот;

· полная гальваническая развязка источника и приемника излучения;

· отсутствие влияния приемника излучения на источник (однонаправленность потока информации);

· невосприимчивость оптических сигналов к электромагнитным полям (высокая помехозащищенность).

Оптрон – полупроводниковый прибор, содержащий источник излучения и приемник излучения, объединенных в одном корпусе и связанные между собой оптически, электрически и одновременно обеими связями. Очень широко распространены оптроны, у которых в качестве приемника излучения используются фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и фототиристор.

В резисторных оптронах выходное сопротивление при изменении режима входной цепи может изменяться в 10⁷…10⁸ раз. Кроме того, вольт-амперная характеристика фоторезистора отличается высокой линейностью и симметричностью, что обусловливает широкую применимость резистивных оптопар в аналоговых устройствах. Недостатком резисторных оптронов является низкое быстродействие – 0, 01…1 с.

В цепях передачи цифровых информационных сигналов применяются главным образом диодные и транзисторные оптроны, а для оптической коммутации высоковольтных сильноточных цепей – тиристорные оптроны. Быстродействие тиристорных и транзисторных оптронов характеризуется временем переключения, которое часто лежит в диапазоне 5…50 мкс.

Рассмотрим подробнее оптопару светодиод-фотодиод (рис.9, а). Излучающий диод (слева) должен быть включен в прямом направлении, а фотодиод – в прямом (режим фотогенератора) или обратном направлении (режим фотопреобразователя). Направления токов и напряжений диодов оптопары приведены на рис. 9, б.

Рис. 9. Схема оптопары (а) и направление токов и напряжений в ней (б)

Изобразим зависимость тока i_вых от тока i_вх при u_вых =0 для оптопары АОД107А (рис. 9). Указанная оптопара предназначена для работы как в фотогенераторном, так и в фотопреобразовательном режиме.

Рис. 10. Передаточная характеристика оптопары АОД107А