Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Электрический расчет






Рассчитаем действующее значение напряжения на нагрузке:

(1.1)

где

Рн - мощность на нагрузке (Вт); RH- сопротивление нагрузки (Ом);

= 10, 954

Рассчитаем максимальное амплитудное значение напряжения на нагрузке:

f Udeu (1.2)

10, 954 = 15, 5 Рассчитаем максимальное напряжение в нагрузке:


Ucc = 2- Um


(1.3)


Ucc = 2-Um = 2-15, 5 = 31(5);

Рассчитаем действующее значение тока в нагрузке:


н


(1.4)


 


1 s\/yij ™" "


1 Н


— = 5, 47 (А);


 


Рассчитаем максимальное амплитудное значение тока в нагрузке:

— v 2 ■ 1дей 5, 47 = 7.75 (А);


(1.5)



2.4.1 Расчет входного каскада

Учитывая техническое задание и основные требования к входному каскаду рис.(2.6), а именно высокое входное сопротивление; частота среза и единичного усиления исходя из этих требований был подобран операци­онный усилитель ADA4841-1 (Приложение А).

Так как DA2 имеет внутреннее сопротивления ReH = 90 МОм, то рези­сторы R3 и R4 берем на 3 порядка меньше ReH это позволит не учитывать токи проходящие в них следовательно: R3 = R4 = 0, 001 ■ ReH = 0, 001 ■ 90 ■ 106 = 90 ■ 103 (Ом) тогда, R2 нужно взять на 2 порядка меньше сопротивлений R3 и R4: R2 = 0, 01 • R3 = 0, 01 ■ 90 ■ 103 = 900 (Ом)

Для исключения самовозбуждения операционного усилителя DA2 введем «легкую» отрицательную обратную связь R5 = 1 МОм, а также сформируем АЧХ на верхних частотах с помощью введения конденсатора С2.

Рассчитаем RC - цепочку в которую входит конденсатор С1 сопро­тивление R1 и R3 По формуле:

где

fcp - часто среза

fcp=fH = 20 Гц

т - постоянная времени

t = C-R = C1-(R13)"

Из формулы (1.6) выразим т:

т = у^—, = т^г-г = 7961 ■ 10" 6 (с) 2 • п • fH 125, 6



7961-10" 6

= 9°

Рассчитаем RC - цепочку в которую входит конденсатор С2 и сопро­тивление Я5 по формуле (1.6), где, fcP = fe = 16 кГц r = C2-R5 Из формулы (1.6) выразим т:


= 2-тг-/б 100, 48-103 т 9, 952-10" 6
1 П

~6

" 12

Э, 95 ■ 10 Рассчитаем коэффициент усиления усилителя Ки по формуле


(1-7)

где

Uebix - напряжение на нагрузке Ивых = Udeu = 10, 954 (В); Uex - напряжение сигнала на входе Uex = 6 ■ 10~3

Ueblx 10, 954

Ки=-^= = 1826

Uex 6 ■ 10~3

Рассчитаем регулировку усиления усилителя R1:

Для уменьшения потери входного сигнала на сопротивлении Rr его нужно взять на 2 порядка больше чем сопротивлении источника сигнала Rr = 6 Ом следовательно R± = 100 ■ 6 = 600 (Ом)



2.4.2 Расчет генератор пилообразного напряжения:

Генератор пилообразного напряжения рис.(2.8) построен на операци­онном усилители DA3 и двух транзисторов VT1 и VT2. Операционный усилитель используется такой же как и в входном каскаде ADA4841-1. Транзисторы VT1 - PNP BC807 и VT2 - NPN BC817 (Приложение А)

Используя частоту модуляции /мод найдем период Т сигнала, что в дальнейшем нам поможет определить время импульса и паузы.

т

мод

где

/мод = fe ~ I6

1 1

Г = — = = 62, 5 ■ Ю-6 (с)

/мод I" " 1U

Введем коэффициент заполнения D = 0.01


 


(1-9)


 


Исходя из формулы (1.8) выразим время импульса tu:

tu = D-T = 0.01 ■ 62, 5 ■ 10~6 = 625 ■ 10~9(с)

Период можно выразить через время импульса tu и паузы tn:

Из формулы (1.9) выразим tn:

tn = T-tu = 62, 5 ■ 10~6 - 625 ■ 10~9 = 61, 875 ■ 10~6 (с)

Рассчитаем сопротивление R8, по формуле:


(1.10)



 

где

Uпор ~ пороговое напряжение; /Д8 - ток протекающий через сопротивление R8; Найдем ИпОр по формуле:

\(Un-Uon) (1.12)

где

Un- напряжение питания DA3; Uon- опорное напряжение DA3;


[/„„„ = -(12-6) = 2

2 1 3 Ток IR8 примем равным 1мА


1R8 1 1U

R8 = 2кОм

Рассчитаем сопротивление Я10 по формуле

~ UПоР - Uon 12-2-6

io =--------- j----------- = 1.10-3 = 4 • Ю (Ом)

1RQ 1 1U

R10 = 4 кОм

Рассчитаем сопротивление Д9 по формуле (1.9):

R9=T

Зададим ток IR9 на 2 порядка меньше выходного тока DA3


* Irs 0, 1 ■ 10- R9 = 120 кОм

Транзистор VT1 берем кремневый 1N4148 Рассчитаем конденсатор С3 по формуле:

С3 =--------------- t^-n------------------------------------------------------------------- (1.13)

10 MA, IR9 = 0, 01 ■ /ew, DA3 = 0, 01 ■ 1 ■ Ю" 3 = 0, 1 ■ Ю-3 (А) /Д9 = 0, 1 мА R 1 ^
= 120

 

tn 61, 875 ■ 10" 6
С3 =---------------- пТ]----------- =------------------------------- j— = 1, 273 ■ Ю-9 (Ф)

J1 120 ■ 103 ^

Н Г12

С3 = 1, 273 нФ

Рассчитаем сопротивление Rlt выразим его через постоянную време­ни т и период Т.

т = тх + т2

Т t

п ' Ti ~ i

С3 1(1 Р

о " " и о «9 «

Lj L, Z.

tM 625-Ю" 9
т2 =---------------- ^—^----- =------------------------------------ 5— = 1187, 0845

i 1, 273 • 10" 9


R9

Kg ■ +- КХ1

Из выше указанного соотношения выразим R:



120 1187, 0845 =

120ц 142450, 14 ■ 103 + 1187, 0845 ■ /? и = 120 ■ 103Rlt Яц(120 ■ 103 - 1, 1870845 ■ 103) = 142450, 14 ■ 103 118, 813 ■ Rlt = 142450, 14 ■ 103

142450, 14-103 *» = 118, 813 = W103 < °" >

Rtl = 1.2 kOm

Рассчитаем конденсатор С4 выразив из формулы:

At/

1Г- (1-14)

At v }

где

/с-ток насыщения конденсатора С4 примем равным 1 мА AU = Un-2UVD

UVD- падение напряжения на диодах VD2 VD3 кремневый 1N4148 Д[/ = 12 - 2 ■ 0, 7 = 10, 6 (В) At = tn = 61, 875 ■ 10~6 (с)

lc-tn 1 ■ 10" 3 • 61, 875 ■ 10" 6

с*= V=------ щ----- =5'837'10 (ф)

С4 = 5, 8 нФ

Рассчитаем сопротивление шунта RM = R14 по формуле:

R14 - (1-15)

lVD


IVD=IC = 1- 10" 3

где VD=IC

^=s = 700



R14 = 700 Ом

Рассчитаем сопротивление R13 по формуле:

Un-2Uvn

где

1б- ток базы транзистора;

Рассчитаем ток базы 1б по формуле


P


min


(1-17)


где

4-ток коллектора транзистора 1к1 = 1С = 1 мА; Ртт~ коэффициент передачи по току;

Коэффициент передачи по току для транзистора VT1 равен /? mjn = 250, L 1 ■ Ю-3

T

min

12-2-0, 7

= 265-103

х* 10-0, 004-1С R14 = 265 кОм Рассчитаем ток коллектора 1к2 для транзистора VT2:

42=^ (1-18)

1 ■ Ю-3
1к2 = = 100 ■ Ю-3 (А)

1к2 = 100 мА

Рассчитаем ток базы 1б2 для транзистора VT2 по формуле (1.14):


1к2 100 ■ Ю-3
1< *=1Г- =-------- ткп--- = °'4 " 10

/б2 = 0, 4 мА

Рассчитаем сопротивление R12 по формуле:


T

1б2


С1-19)


 


12-2-0, 7

= 28, 25 кОм



2.4.3 Расчет согласующего каскада:

Ранее было описано, что согласующий каскад проводит сравнение сигналов, другими словами сигнал модулируется. Модуляция осуществля­ется с помощью полезного несущего сигнала низкой частоты. Обычно в качестве несущего сигнала используют сигнал пилообразной формы. На рис.2.12 изображен временные диаграммы широтно-импульсной модуля­ции.



cut(Qt)

 


 


Рис.2.12 Временные диаграммы ШИМ

- частота fHec;

- коэффициент наклона а

U„ест — максимальная амплитуда несущего сигнала, В; UMod max - максимальная амплитуда выходного напряжения предваритель­ного усилителя, В.

Частота несущего сигнала fHec. должна в 2... 10 раз превышать наивысшую частоту модулирующего сигнала fMod max (в качестве fMod max выбираем fe усилителя). fHec = (2... 10)/. = 160 кГц



В качестве согласующего каскада были использованы 2 компаратора DA4 DA5, которые по времени меньше основных полевых транзисторов. Учитывая этот параметр был выбран МАХ9012 - сверхбыстродействую­щий малопотребляющий с однополярным питанием компаратор £ =5 не (Приложение А).

Сопротивление #is> ^16, #17, Я18, берем на 2 порядка меньше чем внутреннее сопротивление компаратора ReH ком = 1 МОм R1S = Я = R17 = Д18 = 0, 01 ■ RmK0M = 0, 01 ■ 1 ■ 106 = 10 • 103 (Ом)



2.4.4 Расчет выходного каскада:

Рассчитаем выходной LC - фильтр.


соС»


R


d


(1.20)


 


L-C»


5 + 1

СО'


(1.21)


 


где

L - катушка индуктивности; S- задается от 0 до 100 берем S со - циклическая частота


= 40


 


со = 2 -л • f


(1.22)


f = fvod = W • fe = 160 (КГЦ)

co = 2-n-fe = 2- 3, 14 ■ 16 ■ 103 = 1004800 (с" 1)

Перейдем к реактивным составляющим емкости и катушки индуктив­ности т.е к реактивному сопротивлению рис.(2.13)

XL

-L


хс


RH


 


Рис.(2.13) LC - фильтр в комплексном виде

Рассчитаем реактивное сопротивление LC 'элементов: xL» RH ■ 10 = 2 ■ 10 = 20 (Ом)



хс «RH ■ ОД = 2 ■ ОД = 0, 2 (Ом)


 


(1.23)


Из формулы (1.18) выразим С12:

С» = ^ = 0, 2 ■ icLoO = 4'9761'10" 6 < Ф>

С12 = 4, 9761 мкФ

Из формулы (1.16) выразим Lx:


1.0096 ■ 10 Д 9761


(ГН)


Рассчитаем емкостной делитель состоящий из элементов С10 и Сг1\

С = -£ — (1.24)

AU


где

с = 1Н = 5, 47 - ток нагрузки;

= 0Д-[/сф = 0Д---31 = 1, 55

1 2


1 1111

■ р 1min — о f ~ О? П ~ u'UZlD

/„■ At 5, 47 -0, 025

с" =V=^sT-=°'08879 (ф)

С10 = Сц = 88000 л//сФ

Подберем транзисторы VT3 и УТ4.для выходного каскада. Рассчитаем мощность которую рассевает транзистор по формуле:

(1.25)


где

RDS - сопротивление затвора транзистора RDS = 32 мОм;

р = /|rf ■ /? D5 = 29, 9209 ■ 32 ■ 10" 3 = 0, 96 (Вт)

Исходя из результатов берем транзистор IRFB5615PbF (Приложение А)

Сопротивления R2±u Я24 берем рекомендованные производителем:

R21 = д24 = 2, 4 кОм


Зз


2.4.5 Расчет драйвера и ЛСН:

Транзисторы VT3, VT4 для нормальной работы при сопротивлении R21 = /? 24 = 2, 4 кОм и напряжении питания Un = 12 В требуется ток 1д на за­творе:

9 R 7 4

После поисков был выбран драйве IR2010(S)PBF рис.(2.10) который имеет выходной ток ЗА в последствии нами был добавлен усилительный кас­кад по току для каждой полуволны в виде двух полевых транзисторов DA6, DA7 в одном корпусе IRF7389PbF-l (Приложение А). Драйвер также имеет обвязку из элементов берем рекомендованные производителем: С5 = 10 мкФ С6 = С7 = 1 мкФ Диод VD5-1N4148

Сопротивление R21, R 24 берем рекомендованные производителем: R21 = R24 = 6 кОм

Сопротивление R20, R23 используем для стабилизации режима работы тран­зисторов DA6, DA7 находим по формуле: R20 = R23 = Ю ■ R21 = 10 ■ 6 ■ 103 = 60 ■ 103 (Ом) R20 = R23 = 60 кОм

Выбор линейного стабилизатора напряжения выполним по критерию: ЛСН должен обеспечить стабильное напряжение в размере 12В на DAI, DA2 DA3, DA4, DA5, DA6, DA7. Исходя из критерия выбор пал на LM7812

Uex = 14, 5-32 5

ЛСН имеет также обвязку рекомендованную производителем: С8 = 0.53 мкФ С9 = 0.1 мкФ Приложение (А)


2.4.6 Расчет ООС:

При расчете усилителя мы считали, что коэффициент усиления Ки=1826 и входное сопротивление усилителя равно внутреннему сопротив­лению источника сигнала. Поэтому коэффициент усиления по напряжению, превышает требуемый и возникает необходимость введения отрицательной обратной связи (ООС) рис.2.7 по переменному току.

Рассчитаем сопротивление #25 по формуле:

R25 = -± (1.26)

lg

где [/^-напряжение в точки между двумя транзисторами VT3, VT4

lg— ток делителя примем за 0, 1 мА;

«25 = од ^0 = 160 ■ 103 (Ом)

R25 = 160 кОм

Рассчитаем сопротивление R2e из формулы:

«26

-Г7Г- С1-27)


где Ug nocm- напряжение на делители

Ugnocm=\uDA2=\-l2 = 6{B)


Rib


 


II

идпост


«26 + «25



12 R26 + 160 ■ 103 0, 375 =

R26 + 160 ■ 103

0, 375-160 -103 _ 1-0, 375

Рассчитаем сопротивление R27 из соотношения:

' ^оспр

где

/ga-- ток входного сигнала; 1осоу ток ООС операционного усилителя DA2; 1 пр ток ООС преобразователя; Запишем формулу (1.28) в развернутом виде:


И,


 

126 " *" П25
^

R+ R'- (1.29)


где

Uex = 6 " 10~3 В

Rex = R2 = 900 Ом

Uoc ua2~ напряжение ООС операционного усилителя DA2

11 — 11 ^ _ — If) QCA /?

Найдем UocDA2 по формуле:

UocDA2 =2U»DA2 ~ ^оунасщ (1-30)

где


иоунасщ напряжение насыщения операционного усилителя иоунасщ = 1, 5 В


Ток входного сигнала /^ равен: Uex 6 • 10" 3

t
t 1вх = 6, 67 мкА Ток ООС операционного усилителя DA2 равен: 4 5.10_6,..
=6'6710

t

4 5 1

^ 1 ■ Ю6

= 4, 5 мкА

Рассчитаем сопротивление R27 из формулы (1.29)
// #26, _3 96-Ю3

= #26 + #25

27 /«-/«rov 6, 67 ■ Ю-6 - 4, 5 ■ Ю-6 2, 17-Ю-6

= 1, 9 ■ 106 Я27 = 1, 9 МОм



2.4.7 Расчёт энергетических показателей усилителя Определим КПД усилителя по формуле:

Рн

100% (1.30)

Рн + Р

где

л - К.П.Д. усилителя, %;

Рн - полезная мощность (мощность нагрузки), Вт; Р - потребляемая мощность, Вт.

Определим потребляемую мощность как сумму всех входных мощ­ностей активных элементов схемы.

Потребляемая мощность ЛСН состоит из потребляемых мощностей компараторов и ОУ

Рпот — 2 ' РуТ1, 2 + Рдр + 2 ■ РКом + FjICH + 3 ■ Роу + 2 ' Рутз, 4 + 2


P

DA6, 7


где

Pvti, 2 = 0, 25 - мощность на транзисторах VT1, VT2 Вт; Рдр = 1.6 -мощность драйвера Вт; Рком = 0, 8-мощность компаратора Вт; Роу = 0, 0018- мощность ОУ DAI, DA2, DA3, Вт; Рутз, 4 = 0.95- мощность полевых транзисторов VT3, VT4 Вт; Рассчитаем мощность усилительного каскада на полевых транзисторах DA6, DA7 по формуле:

(1.32)

где


Eg- энергия транзистора VT3, VT4

Qg = 26 ■ 10~9 ■ - электрический заряд на транзисторе VT3, VT4;

Ед = QgUn = 26 ■ 1(Г9 ■ 12 = 312 ■ 1(Г9 Дж

Pda6, 7 = 31210" 9161()3 = 499210~6 (Вт) Найдем ток ЛСН /лсн по формуле:

/ - Рсум (

улсн - ~тг~ {

где

Рсум- сумма всех мощностей питаемые ЛСН:

Рсум = 2 ■ PVT12 + Рдр + 3 ■ Роу + 2 ■ Рком = 2 ■ 0, 25 + 1, 6 + 3 ■ 0, 0018 + 2-0, 8 = 3, 7 (Вт)

Рассчитаем мощность ЛСН Рлсн по формуле:

РЛСН = (^сс - ^лсн) ■ ^ЛСН (1-30)

где

илсн = 12 В - напряжение на выходе ЛСН; Рлсн = О/сс - ^лсн) ■ /лен = (32 - 12) ■ 0, 3 = 6 (Вт)

Рпот = 2 ■ РуТ1, 2 + Рдр + 2 ■ Рком + РдсН + 3 ■ Роу + 2 ■ PVT3, 4 + 2 ■ PdA6, 7

= 2 -0, 25 + 1, 6 + 2 ■ 0, 8 + 6 + 3 ■ 0, 0018 + 2 ■ 0, 95 + 2 ■ 4992 ■ Ю-6 = 11, 61 (Вт)

Рн 60

г] = " ■ 100% = ————- ■ 100% = 83.7%
Рн + Рпот 60 + 11.61


Заключение

В ходе курсовой работы был разработан усилитель низкой частоты. Разработанный усилитель удовлетворяет требованиям технического задания. По некоторым параметрам превышает требования ТЗ, в частности К.П.Д. со­ставляет 83, 7%, что было достигнуто благодаря примененной схеме широт-но-импульсной модуляции..

В спроектированном усилителе предусмотрена регулировка усиления, но данная схема не является лучшим возможным решением.

К достоинствам данного усилителя является сравнительно не большое количество элементов, что упрощает настройку схемы усилителя.

К недостаткам данной схемы можно отнести большую величину нели­нейных искажений на больших частотах.


Список использованной литературы

1. Герасимов В.В. Интегральные усилители низкой частоты: Серия
«Электронные компоненты» н/Д: изд-во «Наука и Техника», 2003. - 528 с.

2. Синельников А. X. Бестрансформаторные транзисторные усилители
низкой частоты. Массовая радиобиблиотека. Вып. 706, М: «Энергия», 1969.
-56 с.

 

3. Пухлов Л.Н. Миниатюрные время-импульсные устройства.-М.:
Энергия, 1979.-64 с.

4. Артым А.Д. Усилители классаЭ и ключевые генераторы в ра­
диосвязи и радиоовещании.-М.: Связь, 1980. -209 с.

5. Розанов Ю.К. Полупроводниковые преобразователи со звеном
повышенной частоты.-М.: Энергоатомиздат, 1987. -184 с.

6. Забродин Ю. С. Промышленная электроника: Учебник для вузов, -
М.: Высш. школа. 1982. - 496 с, ил.

7. Лавриненко В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е
изд., перераб. К.: Технпса, 1980. 464с.с ил.

8. Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника: Учеб. Пособие. - Ростов
н/Д: изд-во «Феникс», 2000. - 448 с.

9. Методические указания по оформлению курсовых и дипломных про­
ектов / Сост.: Ю.Э. Паэранд, П.В. Охрименко - Алчевск: ДГМИ, 2004. - 84с.

 

10. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой
мощности: Справочник - 2-е изд., стереотип, - /А.А. Зайцев, А. И. Миркин, В.
В. Мокряков и др.: Под ред А.В. Голомедова. - М.: Радио и связь, КубК-а
1994.-384с.; ил.

11. Додэка - Микросхемы для импульсных источников питания и их
применение. Справочник.2001






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.