Как продвинуть сайт на первые места?

Вы создали или только планируете создать свой сайт, но не знаете, как продвигать? Продвижение сайта – это не просто процесс, а целый комплекс мероприятий, направленных на увеличение его посещаемости и повышение его позиций в поисковых системах.

Ускорение продвижения

Если вам трудно попасть на первые места в поиске самостоятельно, попробуйте технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Если ни один запрос у вас не продвинется в Топ10 за месяц, то в SeoHammer за бустер вернут деньги.

Начать продвижение сайта

Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое расписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
Для новых пользователей первый месяц бесплатно.

Чат-бот для мастеров и специалистов, который упрощает ведение записей:

— Сам записывает клиентов и напоминает им о визите;
— Персонализирует скидки, чаевые, кэшбэк и предоплаты;
— Увеличивает доходимость и помогает больше зарабатывать;

Начать пользоваться сервисом

Обработка экспериментальных данных. 1. Найти средние значения тока и напряжения для каждого значения температуры.

1. Найти средние значения тока и напряжения для каждого значения температуры.

2. Рассчитать сопротивление образца для разных значений температуры в указанном диапазоне. Данные занести в таблицу по форме 2.

3. Рассчитать обратные значения термодинамической температуры 1/T. Данные внести в таблицу по форме 2.

4. Для двух пар значений сопротивления, соответствующих разным температурам, рассчитать значения ширины запрещенной зоны исследуемой германиевой пластины Δ Е ₁ и Δ Е ₂ по формуле (7). Значения температуры берутся по указанию преподавателя. Ответ выразить в эВ (электрон-вольтах).

5. По данным таблицы 2 построить график зависимости lnR от 1/T.

6. Найти тангенс наклона полученной прямой к оси 1/T и рассчитать ширину запрещенной зоны Δ Е ₃ по формуле (8). Ответ выразить в эВ.

7. Из трёх полученных значений ширины запрещенной зоны германиевой пластины найти среднее арифметическое Δ Е _ср.

8. Найти отклонения значений Δ Е_i от среднего арифметического:

(Δ Е_i)= Δ Е_ср – Δ Е_i

9. Ответ записать в виде:

Δ Е = Δ Е_ср (Δ Е)

10. Вывести формулу для расчёта удельной проводимости и для двух значений температуры (по указанию преподавателя) рассчитать значения удельной проводимости германиевой пластины.

Таблица 2

Данные занести в таблицу по форме 2. Рассчитать погрешность косвенных измерений проводимости.

6. ТРЕБОВАНИЯ К ОТЧЁТУ

По лабораторной работе оформляется отчет, который должен содержать:

1) номер и название работы;

2) формулировку цели работы;

3) схему установки;

4) физическое обоснование цели работы и метода измерения;

5) рабочие формулы с расшифровкой всех буквенных обозначений;

6) приборные погрешности;

7) результаты прямых измерений и вычислений;

8) вычисленные погрешности;

9) построенный график зависимости сопротивление полупроводниковой пластины от обратной температуры: lnR от 1/ T;

10) анализ результатов и выводы;

11) подпись студента и дату выполнения данной лабораторной работы.

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОКОНТРОЛЯ И ПРОВЕРКИ ВЛАДЕНИЯ МАТЕРИАЛОМ

1. Как описывают состояние электрона в кристалле?

2. Как происходит образование энергетических зон в кристалле?

3. Дайте характеристики энергетическим зонам электрона в кристалле.

4. Объясните с точки зрения зонной теории деление твёрдых тел на металлы, диэлектрики и полупроводники.

5. Что называется дрейфовой скоростью?

6. Что такое дырка?

7. Как собственная проводимость полупроводников зависит от температуры.

8. Что такое подвижность носителей тока?

9. Какие примеси называются донорными?

10. Какие примеси называются акцепторными?

11. Что называется работой выхода?

12. Как определяется уровень Ферми?

13. Нарисуйте зонные диаграммы полупроводника n - и р - типа.

14. Где находится уровень Ферми в собственном полупроводнике?

15. Дайте определение процессам генерации и рекомбинации носителей заряда.