Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте
    Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое расписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
    Для новых пользователей первый месяц бесплатно.
    Чат-бот для мастеров и специалистов, который упрощает ведение записей:
    Сам записывает клиентов и напоминает им о визите;
    Персонализирует скидки, чаевые, кэшбэк и предоплаты;
    Увеличивает доходимость и помогает больше зарабатывать;
    Начать пользоваться сервисом
  • Покращення характеристик транзисторних ключів (ТК).






    Коли транзистор насичений, в ньому є залишкова електрорушійна сила ЕРС. В режимівідсічки транзистор представляє собою генератор струму (рис 2.3).Приблизні значення в режимах відсічки та насичення:

    езал=1мВ … 100 мкВ rзал=50 …20 Ом Rзт=5…10 Мом Ізал=1…100 мкА

    Рисунок 2.3. Еквівалентна схема транзисторного ключа

     

    Щоб зменшити залишкову ЕРС застосовується включення 2-х транзисторів (рис 2.3):

    Дана схема використовує компенсаційне інверсне включення транзисторів для компенсації залишкових ЕРС двох транзисторів і зменшення паразитного проходження струму із кола управління на вихід схеми.

    Для кремнієвого транзистора 1КТ011А

    езал=20мВ … 50 мкВ

    rзал=100 Ом

    Rзт=10 МОм

    У даної схеми є недолік – необхідно ізолювати джерело управління від загальної схеми, тому застосовують трансформатор або оптронні пари рис 2.5 та рис 2.6.

     


    Набір ключів К249КН1 з оптронною розв’язкою та зустрічним включенням p-n-p транзисторів (рис 2.5) має такі характеристики:

    езал=200 мкВ Rвих=200 Ом Івх=20 мА Uвх=3, 5 B, напруга ізоляції Uізол=150 B,

    час включення tвкл=10 мкс.

    Оптронна пара АОТ1011 на базі фототранзисторів (рис 2.6) має напругу ізоляції Uізол=1500 B.






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.