Частотные свойства полевых транзисторов.

Частотные свойства полевых транзисторов обусловлены в основном влиянием междуэлементарных емкостей и распределенных сопротивлений канала, истока и стока. К ним относятся:

C з.и− емкость затвор – исток, определяющая реактивную составляющую входного тока;

C з.c -емкость затвор – сток, создающая цепь обратной связи выходной и входной цепей, ограничивающая устойчивость усиления на высоких частотах;

C c.и, C с.п − емкость сток – исток или сток – подложка, обусловливающая реактивную составляющую выходного тока.

С учетом влияния этих элементов можно представить упрощенную эквивалентную схему полевого транзистора (рис.). Генератор тока SU зи отражает усилительные свойства транзистора. Внутреннее сопротивление Ri характеризует воздействие стока на ток стока. Сопротивления истока rи и истока rс составляют доли ом или единицы ом и ими можно пренебречь.

Крутизна транзистора зависит от частоты входного сигнала, уменьшаясь с ростом частоты:

где S0-значение крутизны на низкой частоте.

При f=fsкрутизна S= S0/sqrt(2). Частота fs называется предельной частотой крутизны. Внутреннее сопротивление Ri ввиду того, что длина канала мала, можно считать независимым от частоты.