Фоторезисторы.

Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т.е. изменение электрической проводимости полупроводника под действием оптического излучения.

Фоторезистор обладает начальной проводимостью, которую называют темновой

q – заряд электрона; n0, p0 – концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в равновесном состоянии, µ – подвижность электронов и дырок соответственно.

Под действием света в полупроводнике генерируются избыточные подвижные носители заряда, концентрация которых увеличивается на величину ∆ n и ∆ p, а проводимость полупроводника

изменяется на величину называемую фотопроводимостью.

При изменении яркости освещения изменяется фотопроводимость полупроводника. Увеличение проводимости полупроводника при освещении фоторезистора приводит к возрастанию тока в цепи. Разность токов при наличии и отсутствии освещения называют световым током, или фототоком.

Характеристики и параметры фоторезистора.

ü ВАХ I=f(U)

ü Световая I=f(Ф) при U< =const

ü СпектральнаяS=f(длины волны)

Параметрами фоторезистора являются:

Темновое сопротивление – сопротивление фоторезистора при отсутствии освещения

Удельная интегральная чувствительность – отношение фототока к произведению светового потока на приложенное напряжение:

Граничная частота – это частота синусоидального сигнала, модулирующего световой поток, при котором чувствительность фоторезистора уменьшается в √ 2 раз по сравнению с чувствительностью при немодулированном потоке

Температурный коэффициент фототока – коэффициент, показывающий изменение фототока при изменении температуры и постоянном световом потоке.

Рабочие напряжение – номинальное напряжение между электродами фоторезистора.