Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте
    Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое расписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
    Для новых пользователей первый месяц бесплатно.
    Чат-бот для мастеров и специалистов, который упрощает ведение записей:
    Сам записывает клиентов и напоминает им о визите;
    Персонализирует скидки, чаевые, кэшбэк и предоплаты;
    Увеличивает доходимость и помогает больше зарабатывать;
    Начать пользоваться сервисом
  • ОБЛАДНАННЯ. 1. Джерело постійного струму до 1 В - 1 шт.






    1. Джерело постійного струму до 1 В - 1 шт.

    2. Вольтметр постійного струму на 8 В - 1 шт.

    3. Міліамперметр постійного струмина 10 мА - 1 шт.

    4. Біполярний транзистор типу КТ 801А - 1 шт.

    5. Джерело постійного струму до 10 В - 1 шт.

    6. Вольтметр постійного струму на 15 В - 1 шт.

    7. Міліамперметр постійного струму на 300 мА - 1 шт.

    8. Комплект з'єднувальних проводів - 1шт.

    Короткі теоретичні дані

    Біполярний транзистор – напівпровідниковий прилад, який складається із трьох областей з черегуючими ти­пами електропро-

    відності, який придатний для підсилення потужності.

    У біполярних транзисторах струм визначається рухом носіїв за­рядів двох типів: електронів та дірок.

    Біполярні транзистори прийнято підрозділяти на групи за діапазоном межових частот та максимальних по­тужностей, які розсіюються на колекторному переході та які визначають навантажувальну здатність транзистора: низькочастотні , середньочастотні , високочас­тотні , НВЧ , малої потужності , середньої потужності , великої потужності .

    Для виготовлення транзисторів використовують германій, крем­ній, арсенід галію та інші напівпровідникові матеріали.

    У біполярних транзисторів середній шар називають базою (Б); навантажувальний шар, який є джерелом носіїв зарядів (елек­тронів чи дірок) – емітером ), другий зовнішній шар – колек-

    тором (К). Він приймає носії зарядів, які надходять від емітера.

    В залежності від того, який електрод є загальним для вхід­ного та вихідного кола, розрізнюють три схеми включення біполярних транзисторів; із загальною базою (ЗБ), із загальним емітером (ЗЕ), із загаль­ним колектором (ЗК).

    У схемі із ЗБ підсилюючий каскад має малий вхідний опір (одиниці ома) та великий вихідний опір (сотні ком). Низь-

    кий вхідний опір каскаду є його значним недоліком, так як у багатокаскадних схемах цей опір виявляє шунтову дію на опір наванта­ження попереднього каскаду і різко знижує підсилення цього каскаду за напругою та потужністю. Схема а ЗБ застосовується при роботі на високоомне навантаження та за частотними і температурними властивостями значно краще схеми з ЗЕ.

    У схемі із ЗЕ (рис. 15) підсилюючий каскад має вхідний опір у сотні ом, а вихідний - порядку десятків ом. Для цієї схеми . Малі значення струму бази і великі значення струму колектора обумовлює широке використання схеми із ЗЕ.

    Коефіцієнт підсилення за напругою у схемі із ЗЕ показує, на скільки змінюється напруга між колектором та емітером при змі­ні напруги між базою і емітером та має приблизно таку ж величину, як і для схеми а ЗБ:

    .

    Коефіцієнт підсилення за струмом (коефіцієнт передачі струму бази) у схемі із ЗЕ показує, на скільки змінюється струм колектора при зміні струму бази :

    .

    Схема має значне підсилення як за напругою так і за струмом.

    Підсилення за потужністю схеми із ЗЕ:

    Дана схема широко використовується як основна для універ­сальних підсилювачів, для пристроїв кадрової та стрічкової розгортки телевізійних приймачів та інше.

    У схемі із ЗК підсилюючий каскад має великий вхідний опір (десятки і сотні кілоом), а вихідний – малий (десятки і сотні ом). В цій схемі коефіцієнти підсилення дуже малі. Вона ви­користовується при роботі на низькоомне навантаження від високоомного датчика та для узгодження опорів між окремими каскадами підсилювачів.

     

    Вхідні (базові) характеристики біполярного транзистора у схемі із ЗЕ - залежність між струмами бази і напругами між базою - емітером у вхідному колі при постійних напругах між колектором та емітером:

    Вихідні (колекторні) характе­ристики біполярного транзистора у схемі з ЗЕ - залеж­ність між струмами колектора від напруг між колектором та емі­тером при постійних струмах бази.

    Позначення літерно-цифрового коду транзисторів аналогічні напівпровідниковим діодам, крім слідуючих:

    другий елемент позначення - літерний - визначає клас приладу:

    транзистори біполярні – Т; транзистори польові – П; п'ятий елемент

    позначення - літери російського алфавіту від А до Я - визначає ділення технологічного типу на параметричні гру­пи, наприклад, за зворотними напругами, коефіцієнту передачі струму та ін.

    Наприклад, позначенні досліджуваного транзистора типу КТ 801 А відповідає паспортним даним (параметрам): кремнієвий (К), біполярний (Т), великої потужності (максимальна потужність, яка роз­сіюється на колекторному переході, ), середньо - частотний, призначений для улаштувань кадрової і стрічкової розгортки телевізійних приймачів (8), розробка (01), із зворотнім струмом колектора 10 мА при , зворотнім струмом емітера 2 мА при 2, 5В, з коефіцієнтом передачі струму , з максимальним струмом колектора та з

    n-p-n типом переходу.

    Послідовність проведення роботи

    1. Вивчіть будову, принцип дії, основні властивості та області застосування біполярних транзисторів.

    2. Встановіть на блоці живлення перемикачі у положення „0...6, 3 В”, „0...30 В” і „-”

    3. Зберіть схему дослідження біполярного транзистора із ЗЕ (рис. 15), підключіть її до затискачів блока живлення та пред’явіть викладачу для перевірки.

    4. Змінюючи напругу від 0 до 1 В через 0, 1В виміряйте та запишіть у табл. 10 струми 0 та 6 В.

     

    Рис. 15. Схема дослідження біполярного транзистора із загаль­ним емітером

    Таблиця 10

    Параметри вхідних характеристик біполярного транзистора

    Задано   0, 1 0, 2 0, 3 0, 4 0, 5 0, 6 0, 7 0, 8 0.8 1.0
    Вимі­ряно                      
                           
                             

     

    Таблиця 11

    Параметри вихідних характеристик біполярного транзистора

    Задано             б        
    Виміряно                      
                           

     

    5. Міняючи напругу від 0 до 10 В через 1 В виміряйте та запишіть у табл. 11 струми ІК при ІБ = 2 мА та ІБ = 4 мА.

    6. На рис. 16 і 17. по крапкам побудуйте вхідні та вихідні ха-

     

     

                       
                       
                       
                       
                       
                       
                       
                       
                       
                       

     

    1, 0

    0, 9

    0, 8

    0, 7

    0, 6

    0, 5

    0, 4

    0, 3

    0, 2

    0, 1

    0 0, 1 0, 2 0, 3 0, 4 0, 5 0, 6 0, 7 0, 8 0, 9 1, 0

     

    Рис. 16. Вхідні характеристики біполярного транзистора

    при - - - - - - - - та

    при ---------------

     

    характеристики біполярного транзистора.

    7. Визначте коефіцієнти підсилення досліджуваного біпо-

    лярного транзистора за напругою, струмом та потужністю:

     

    ; ;

     

    КРЗЕ = КUЗЕ · КІЗЕ.

     

     

     

    8. Проведіть аналіз вхідних і вихідних характеристик біпо­лярного транзистора, запишіть у робочий зошит висновки та реко­мендації.

    9. Усно дайте повні відповіді на контрольні запитання.

    ІК, мА

     
     
                       
                       
                       

     


     

     

    0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

    Рис. 17. Вихідні характеристики біполярного транзистора:

    при ІБ = 1 мА ----------

    при ІБ = 2 мА ----------

    Зміст звіту

    1. Номер, назва та мета лабораторної роботи.

    2. Схема дослідження (рис. 15).

    3. Таблиці 10 і 11.

    4. Вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора(рис. 16 і 17).

    5. Коефіцієнти підсилення біполярного транзистора за напру­гою, струмом та потужністю.! 6. Висновки та рекомендації.

    Контрольні запитання

    1. Поясніть устрій, принцип дії та особливості і назвіть об­ласті застосування біполярних транзисторів?

    2. На які групи поділяються транзистори?

    3. Які три схеми включення біполярних транзисторів розрізнюють в залежності від того, який електрод є загальним для вхідних та вихідних кіл?

     

     

    4. Що таке вхідні та вихідні характеристики біполярних тран­зисторів?

    5. Які бувають коефіцієнти підсилення?

    Бібліографічний список

    [З. С. 213...216; 6. С. 232...239; 7. С. 28...343].






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.