Устройство полупроводниковых диодов. Классификация диодов по частоте, мощности, по назначению.

Полупроводниковым диодом называют электропреобразовательный прибор с одним (или несколькими) выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами для подключения к внешней цепи. Принцип работы большинства диодов основан на использовании физических явлений в p-n-переходе. Низкоомная зона диода – эмиттер, высокоомная – база.

В зависимости от технологических процессов, используемых при изготовлении диодов, различают: сплавные, диффузионные, планарно-эпитаксиальные диоды и их разновидности. Устройство полупроводникового диода, изготовленного по планарно-эпитаксиальной технологии, приведено на рис. 1.

Большинство полупроводниковых диодов выполняют на основе несимметричных p-n-переходов. В качестве структурных элементов диодов используют также p-n-, n-p-переходы, переходы металл-полупроводник, p+-p-, p+-n-переходы, гетеропереходы. Вся структура с электрическим переходом заключается в металлический, стеклянный, керамический или пластмассовый корпус для исключения влияния окружающей среды. Полупроводниковые диоды изготовляются как в дискретном, так и в интегральном исполнении. Основным элементом полупроводникового диода является р-n-переход, поэтому вольтамперная характеристика реального диода близка к вольтамперной характеристике р-n-перехода.Параметры и режим работы диода определяются его вольтамперной характеристикой, иллюстрирующей зависимость протекающего через диод тока I от приложенного напряжения U. Типовая вольтамперная характеристика прибора.

Диоды классифицируются:

по назначению: выпрямительные(предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий), импульсные(предназ.для работы в импульсных и цифровых устройствах), стабилитроны(предназ. для стабилизации напряжения), варикап(управление ёмкостью), тунельные(переключатели, генераторы), обращённые, свето- и фотодиоды и т.д

по диапазону частот: низко- и высокочастотные, СВЧ

по мощности: диоды малой мощности (Iпр. max ≤ 0, 3 А), средней мощности (0, 3 А ≤ Iпр. max ≤ 10 А), большой мощности (Iпр. max> 10 А).