Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Лабораторная №4
|
|
Кафедра Микроэлектроники и Биомедицинской Инженерии
Отчет
По дисциплине: Электронные измерения
Лабораторная №4
Тема: Измеритель h-параметров маломощьных транзисторов.
Выполнил: ст.гр.MN-132
Хорозов А. И.
Проверил: старш. преподователь
Метлинский П.Н
Кишинев 2014
Цель работы: Изучение технических характеристик, принципов измерения и устройства измерителя параметров транзисторов и проведение измерений.
Часть I
Ход работы:
1.Подготавливаем измеритель к работе и проведению измерений.
2.Измерение h-параметров в схеме в общим эмиттером:
2.1.Тумблер “p-n-p – n-p-n” устанавливаем в соответствующее типу
подключаемого транзистора положение.
2.2.Устанавливаем величину напряжения на коллекторе Uкэ=5В.
2.3.Подключаем транзистор.
2.4.Ключ “ТОКИ – ОБЩ. БАЗА – ОБЩ. ЭМИТТЕР” устанавливаем в положение “ОБЩ. ЭМИТТЕР”.
2.5.Снимаем зависимости h11e, h21e+1, h12, h22 от тока эмиттера в диапазоне от 0.1 до 10 мА(для транзистора 2Т203).
2.6.Устанавливаем транзистор КТ608А вместо испытуемого ранее.
2.7.Устанавливаем величину тока Iэ=2мА и снимаем зависимость h21е+1 от напряжения на коллекторе.
3.Измерение обратных токов:
3.1.Устанавливаем Vкэ=2В.
3.2.Устанавливаем транзистор типа МП10А.
3.3.Устанавливаем при помощи переключателя “Rбэ , kΩ ” значение сопротивления цепи база-эмиттер, равное 100 kΩ.
3.4. Ключ “ТОКИ – ОБЩ. БАЗА – ОБЩ. ЭМИТТЕР” устанавливаем в положение “ТОКИ”.
3.5.Отсчитываем значения токов по стрелочному прибору.
3.6.Устанавливая напряжение Uкэ, равное 2, 3, 5, 7, 10В, снимаем зависимость токов от напряжения на коллекторе.
Таблицы и вычисления:
2Т203 p-n-p
IКБ=1мкА; UКЭ=5В
| Iэ, мА | 0, 1 | 0, 2 | 0, 3 | 0, 4 | 0, 5 | 0, 6 | 0, 7 | 0, 8 | 0, 9 | 1, 5 | 2, 5 | ||||||||||
| h11e, 103 | > 10 | 5, 8 | 4, 6 | 3, 9 | 3, 4 | 3, 1 | 2, 8 | 2, 6 | 2, 4 | 1, 9 | 1, 6 | 1, 4 | 1, 3 | 1, 2 | 1, 1 | 1, 05 | 1, 0 | 0, 95 | 0, 95 | 0, 95 | |
| h21e+1, 10-2 | 0, 48 | 0, 505 | 0, 51 | 0, 51 | 0, 51 | 0, 50 | 0, 49 | 0, 48 | 0, 48 | 0, 47 | 0, 75 | 0, 42 | 0, 40 | 0, 38 | 0, 35 | 0, 34 | 0, 31 | 0, 29 | 0, 28 | 0, 265 | 0, 26 |
| h12 , 10-3 | 0, 2 | 0, 21 | 0, 21 | 0, 21 | 0, 2 | 0, 2 | 0, 2 | 0, 2 | 0, 2 | 0, 2 | 0, 2 | 0, 21 | 0, 22 | 0, 23 | 0, 24 | 0, 26 | 0, 28 | 0, 3 | 0, 31 | 0, 33 | 0, 38 |
| h22e , 10-4 | 0, 08 | 0, 09 | 0, 11 | 0, 12 | 0, 13 | 0, 14 | 0, 16 | 0, 17 | 0, 18 | 0, 20 | 0, 25 | 0, 30 | 0, 35 | 0, 41 | 0, 52 | 0, 63 | 0, 73 | 0, 84 | 0, 94 | 1, 2 | 1, 3 |
2T603Б (кремн) n-p-n
IE=2мА; UКБпред.=30В
| Uкэ, В | ||||||||||||||||||||
| h21e+1, 10-2 | 0, 138 | 0, 14 | 0, 14 | 0, 14 | 0, 141 | 0, 141 | 0, 141 | 0, 141 | 0, 141 | 0, 142 | 0, 142 | 0, 142 | 0, 143 | 0, 143 | 0, 143 | 0, 143 | 0, 143 | 0, 144 | 0, 144 | 0, 144 |
МП9-11 n-p-n
RБЭ=100кОм; UКЕ=2В
| Uкэ, В | |||||
| Iкэ0, мА*102 | 4, 4 | 4, 55 | 4, 65 | 4, 8 | 4, 95 |
| Iкб0, мА | 5, 05 | 5, 05 | 5, 15 | 5, 20 | |
| Iэб0, мА | 5, 05 | 5, 10 | 5, 15 | 5, 20 |
Вывод: В ходе данной лабораторной работы с помощью измерителя h-параметров маломощных транзисторов Л2-22/1 мы исследовали следующие 3 транзистора: 2Т203(p-n-p); 2T603Б(n-p-n); МП9-11 (n-p-n). Прежде чем выполнять измерения, прибор был отколиброван. Все транзисторы являются исправными и их параметры соответствую нормам.
h11 - входное сопротивление;
h22 - выходная проводимость;
h12 - коэффициент обратной связи;
h21 - коэффициент передачи тока.
Дифференциальные параметры биполярных транзисторов зависят от режимов их работы. Для схемы с общим эмиттером наибольшее влияние испытывает коэффициент усиления эмиттерного тока h21э в зависимости от тока эмиттера.
Параметры транзистора зависят от выбора (Uк, Iк) и без указания режима измерений не имеют определенности. Низкочастотные h-параметры можно определить с помощью статических характеристик методом снятия их на постоянном токе. Тогда роль переменных токов и напряжений будут играть малые приращения постоянных токов и напряжений
Эти выражения справедливы для схемы с ОЭ.
|
|