Оптожұптың қабылдағышы ретінде . қолданған дұрыс.

А) фоторезисторды

В) фотодиодты

D) фототиристорды

7. Ө рнектелмеген р -жартылай ө ткізгіштің Ферми дең гейі мына жерде орналасады:

C) тыйым салынғ ан аймақ та, валенттік аймақ тың жоғ ары бө лігіне жақ ын

F) тыйым салынғ ан аймақ тан валенттік аймақ тың максималды мә ніне дейінгі аралық

G) ө ткізгіштік аймақ тан ө тіп, валенттік аймақ қ а жетеді

19.ОБ немесе ОЭ қ осылу сұ лбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілікке қ атты тә уелді:

A) ОЭ қ осылу сұ лбасында

F) токты қ айталағ ыш сұ лбасында токты тура беру коэффициенті жиілікке аз ғ ана тә уелді

G) ток бойынша, кернеу бойынша жә не қ уат бойынша кү шейту коэффициенттері ө те жоғ ары сұ лба, токты тура беру коэффициенті жиілікке аса тә уелді

21.ОБ сұ лбасымен қ осылғ ан транзистордың h₂₁ токты беру коэффициентінің анық тамасы:

B)

F) b=I_К/I_Э

H) бұ л шығ ыс коллектор тогының эмиттер тогына қ атынасы

22.Ө те жақ сы жоғ ары жиілікті қ асиеттері бар, дрейфті немесе дрейфсіз транзисторлар:

C) дрейфті

D) коллекторлық ауысудың жоғ арғ ы шектік кернеуі сақ талғ анда, w, r_b, С_к шамаларының бір уақ ыттағ ы азаюын сипаттайтын транзистор

H) базада қ оспаның шоғ ыры бірқ алыпсыз туындайтын жә не ол сыртқ ы кернеулерден тә уелсіз болатын, транзистор

25.ОЭ сұ лбасы бойынша қ осылғ ан транзистордың h₂₁ ток беру коэффициентінің анық тамасы:

B)

F) коллектор эмиттер кернеуі тұ рақ ты болғ ан кезде, коллектор тогының база тогына қ атынасы

H) коллектор эмиттер шығ ыс кернеуі тұ рақ ты болғ ан кезде, шығ ыс коллектор тогының кіріс база тогына қ атынасы

26.ОЭ сұ лбасымен қ осылғ ан n-p-n текті транзистордың активті режимдегі ауысуларының ығ ысуы:

C) D) G)

32.Ө рістік транзистордың кернеуді кү шейтуге арналғ ан жә не қ асиеттерін сипаттайтын кө рсеткіштері:

A) қ ұ йма тиектік сипаттаманың тіктігі S (ө рістік транзистордың сипаттамасының тіктігі):

B) ішкі дифференциалдық кедергісі R_ішкі:

C) кү шейту коэффициенті: