Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Эмиттерлік қайталағыштың кернеу бойынша күшейту коэффициенті қаншаға тең?






    В) Кu£ 1;

    U вх=5мВ, U вых=5В болғ анда кернеу бойынша кү шейту коэффициенті K u неге тең?

    A) 60дб;

    0 = 7В, Ек = 16В болғ анда коллектор тогы Iк0 = 3мА болуы ү шін коллектор тізбегіне қ осатын резистор кедергісі мә нін табың дар.

    Uвых
    Uвх
    RБ
    RК
    Ср2
    Ср1
    Ек
    ·
    ·
    ·
    ·
    ·

     


    А) 4, 3 кОм;

    n-p ауысуының КЗО (кең істіктік заряд облысы)-ғ ы кө лемді зарядтың ө рісінің қ алыптасуы:

    A) донор жә не акцептор қ оспаларының тең естірілмеген зарядтарымен

    D)екі ә ртү рлі аттас зарядталғ ан қ абаттармен

    E)тең естірілген кү ймен (мұ нда диффузиядан болатын негізгі тасымалдаушылардың аз тогы жә не тү йісу ө рісінің ә серінен болатын негізгі емес тасымалдаушылардың тогы, бұ л токтар бір-бірін тең естіреді).

     

    n-p ауысуының КЗО (кең істіктік заряд облысы)-ғ ы ішкі электрлік ө рісі:

    A)болмайды

    D)КЗО қ ысқ арады, егер оң потенциал p-облысына қ осылғ ан болса, онда потенциалды барьер тө мендейді (тура ығ ысу)

    E)КЗО қ ысқ арады, егер теріс потенциал n -облысына қ осылғ ан болса, онда потенциалды барьер тө мендейді (кері ығ ысу)

    p-n ауысудың кері кернеуінің ө суі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылық тың ө згерісі:

    D) сызық ты заң бойынша азаяды

    E) азаяды

    H)сол кернеудің модулі бойынша сә йкесінше азаяды

    p-n ауысуының ВАС суреттеуі, бұ л:

    B) I=I0expU[/(ϕ T − 1)

    D) Шоклиформуласы

    p-n ауысудың мына ерекше қ асиеті туннельдік диодтың жұ мысында қ олданылады:

    C) туннельдік тесілу

    F) теріс дифференциалды кедергісі бар бө ліктің болуы

    G)онда электрон қ озғ алысына кедергі болатын ө те тар потенциалды барьер болады, оның вольтамперлік сипаттамасы туннельдеудің квантомеханикалық процесімен анық талады

    E)

    H-параметрлерiнде єайñ û ñ û шығ ыс ө ткізгіштік болып табылады?

     

    C) h21;

     

     






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.