Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?
Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже.
Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал.
Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее. ✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать». Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами! Исследование полевого транзистора
1. Цель работы: снятие характеристик и определение параметров транзистора полевого транзистора. 2. План работы 2.1. Сборка и опробование схемы. 2.2. Снятие стоковых характеристик полевого транзистора Iст=f(Uис) при =const 2.3. Снятие стока-затворной характеристики Iс=ф() при Uис=const 2.4. Построение стоковых и стоко-затворных характеристик. 2.5. Определение параметров полевого транзистора по стоковой характеристике: · Напряжение насыщения Uнас; · Тока насыщения Iнас; 2.6. Определение параметров полевого транзистора по стоко-затворной характеристике: · Крутизна характеристики S; · Напряжение отсечки
3. Результаты работы (результаты измерений, расчеты, графики и т.п.) 3.1. Снятие и построение стоковых характеристик полевого транзистора.
3.2. Снятие и построение стока-затворных характеристик транзистора.
3.3. Определение параметров полевого транзистора
|