Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Контроль працездатності напівпровідникових приладів






Перевірку працездатноті напівпровідникових діодів проводять без випаювання із

 

електронного пристрою при допомозі стандартних омметрів, мультиметрів в режи-

 

мі цифрового омметра та спеціалізованих вимірювачів діодів, рідше —найпростіши-

 

ми випробувачами із світлодіодними індикаторами.

 

Для перевірки працездатності діодів в електронних пристроях їх вимикають від дже-

 

рел живлення, знімають залишковий електричний заряд з конденсаторів ємністю> 0, 5

 

мікрофаради, перевіряють електричний “0” омметра шляхом замикання вимірюва-

 

льних щупів між собою і діючи ручкою змінного резистора”Установка “0”, а потім

 

 

вмикають щупи паралельно діоду “+”до р-області, а “--”до n-до області і вимі-

 

рюєм прямий опір діоду який складає одиниці Ом для потужних вентилів і одиниці

 

десятків Ом. Далі змінюємо полярність вмикання діоду на протилежну і вимірюємо

 

зворотній опір діоду, який може бути від одиниць сотен Ом до одиниць мегом -діод

працездатний. При короткому замиканні р-n-переходу опори для прямого і зворот-

 

нього вмикання діоду наблиєжаються до 0, при обриві — опір наближається до ∞ -

 

діод непрацездатний і його необхідно замінити новим.

 

Працездатнсть транзисторів найраціональніше перевіряють вимірювачами парамет-

 

рів, наприклад, типу Л2-54 або подібним, але в умовах конкретного підприємства не

 

завжди є така можливість в кращому випадку —мультиметр і добре якщо він циф-

 

ровий та має великий вхідний опір—це виключатиме шунтування р-n-переходів.

 

Розглянемо методику перевірки працездатності біполярного малопотужного тран-

 

зистора р-n-р типу при допомозі мультиметра, налаштованого в режим омметра.

 

Приєднаємо до бази “+”внутрішньої батареї омметра, переходи транзистора бу-

 

дуть закриті і омметр покаже великий опір між базою і колектором та між базою

 

і емітером.

 

Змінемо полярність джерела живлення омметра(--Еб), омметр покаже малий опір

 

між базою і колектором, базою і емітером.

 

Для транзисторів n-p-n типу полярності живлення омметра змінюються на проти-

 

лежні.

 

Транзистори типів МДН і МОН, найчастіше входять до складу ІМС перевіряють

 

при допомозі програмних спеціалізованих пристроїв.

 

Працездатність тиристорів перевіряють при допомозі спеціальних стендів здатних

 

вимірювати амплітудні струмів і напруг, а також часових тривалостей запускаючих

 

імпульсів в реальних масштабах їх значень.

 

Сьогодні для налаштування електронних систем і комлексів використовують стен-

 

ди перевірки тиристорів Крона 902-01-- здатних контролювати всі параметри тиристорів малої і великої потужності.

 






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.