💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее.
✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать».
Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами!

МДП-транзистор

МДП-транзистор называют также транзистором с изолированным затвором, так как в отличие от ПТУП затвор от полупроводника изолирован окислом (рис. 4).

с индуцированным каналом со встроенным каналом каналом   к     p -канальный n -канальный p -канальный n -канальный

Рис. 4 Условные обозначения МДП-транзисторов

Обычно в качестве диэлектрика используют оксид (оксид кремния SiO₂), поэтому говорят о МОП-транзисторах (со структурой металл-оксид-полупроводник).

МДП-транзистор создан на основе МДП- структуры, в которой использован эффект управления поверхностными свойствами полупроводника за счет изменения потенциала затвора.

Для обеспечения прохождения управляемого тока под затвором создают две дополнительные электродные области: исток и сток. Полупроводниковые области истока и стока создают из сильно легированного, обладающего хорошей проводимостью, материала, отличающегося по типу от материала базового кристалла (рис.5).

Рис. 5. МДП-транзистор с встроенным каналом

Проводящий канал расположен между стоком и истоком. Расстояние между областями стока и истока определяет длину канала L.

За сток принимается тот электрод, к которому дрейфуют основные носители канала, т.е. в n -канальном транзисторе сток должен быть под положительным потенциалом относительно истока, а в p -канальном – под отрицательным.

Затвор в МДП-транзисторе изолирован от полупроводниковой подложки тонким слоем диэлектрика.

МДП-транзисторы применяют двух типов: со встроенным и индуцированным каналами. Транзистор со встроенным каналом, имеющим ту же проводимость, что и сток-истоковые области, при нулевом напряжении на затворе открыт. Уменьшение тока на выходе МДП-транзистора со встроенным каналом обеспечивается подачей на управляющий электрод – затвор – напряжения U_з с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда в канале: для p -канала U_з> 0, для n -канала U_з< 0. Напряжение затвора U_з указанной полярности вызывает обеднение канала носителями заряда, сопротивление канала увеличивается, и выходной ток уменьшается. Если у транзистора со встроенным каналом изменить полярность напряжения на затворе, то произойдет обогащение канала дырками и увеличение выходного тока. Таким образом, транзистор со встроенным каналом может работать при напряжениях на затворе обеих полярностей как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом – это нормально открытый прибор.

МДП-транзистор с индуцированным каналом (рис. 4) работают только в режиме обогащения. В отсутствие напряжения управления на затворе между истоком и стоком оказываются два встречно включенных диода, и ток в этой цепи будет равен обратному току одного из диодов, т.е. весьма мал и транзистор будет находиться в запертом состоянии. Таким образом, МДП-транзистор – это нормально закрытый прибор.

На рис. 6 показана структура, которая используется в МДП-транзисторах с индуцированным n -каналом.

Для того чтобы транзистор открылся, на затвор необходимо подать такой потенциал относительно потенциала подзатворной области, чтобы на поверхности произошла инверсия проводимости. При этом под затвором индуцируется область n -типа, образующая канал, соединяющий n⁺ -области истока и стока, и в стоковой цепи начинает протекать ток.

Принято считать, что транзистор открывается при напряжении затвора, равном пороговому – U _п, при котором на поверхности начинает выполняться условие сильной инверсии. Стоковый ток тем выше, чем больше индуцированный в канале заряд и, соответственно, больше проводимость инверсионного слоя.

Рис 6. МДП-транзистор с индуцированным каналом

Пусть U _зи> U _п, т.е. имеется проводящий канал, и на сток относительно истока подано положительное напряжение U _си (рис. 6). Тогда распределение потенциала в канале по оси х становится неравномерным: в точке х=0 (вблизи истока) потенциал определяется только полем затвора и равен U _зи- U _п, а в точке х=L – совместным действием полей затвора и стока и равен U _зи- U _п- U _си. При увеличении напряжения U _си ток стока I_c также будет увеличиваться по линейному закону, так как увеличивается напряженность стока вдоль канала (по оси х). Ток стока вдоль канала – дрейфовый ток электронов.

Одновременно с ростом напряжения U _си и тока стока I_c происходит расширение стокового pn -перехода: на переход подается обратное смещение, и он расширяется в сторону высокоомной подложки. В точке х=L обратноенапряжение на стоковом pn -переходе появляется только при достижении некоторого граничного условия U _{си гр}= U _зи- U _п, то есть при компенсации в этой точке действия поля затвора. При этом дифференциальное сопротивление выходной цепи сток-исток резко увеличивается, так как оно определяется сопротивлениями канала и обратносмещенного стокового pn -перехода. Рост тока стока I_c при U _си > U _{си гр} практически прекращается, а стоковый pn -переход расширяется по оси х в сторону истока, и длина канала уменьшается на Δ L.