Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Статические вольт-амперные характеристики транзистора, включенные по схеме с общим эмиттером






    Рассмотрим ВАХ pnp -транзистора в режиме ОЭ (рис. 6.13, 6.14).

    Рис. 6.13. Выходные ВАХ ОЭ Рис. 6.14. Входные ВАХ ОЭ

    Входные ВАХ.

    Рекомбинационный ток базы составляет часть тока эмиттера:

    (6.36)

    При UКЭ =0 . С увеличением напряжения UБЭ концентрация на переходе ЭБ растет (рис. 6.15, а), градиент концентрации инжектированных дырок растет, диффузионный ток дырок, как и в прямо смещенном pn -переходе, растет экспоненциально (т. А) и отличается от тока эмиттера только масштабом (6.36).

    При обратных напряжениях на коллекторе и фиксированном напряжении на ЭП | UБЭ | (рис. 6.15, б) постоянной будет и концентрация дырок в базе вблизи эмиттера. Увеличение напряжения UКЭ будет сопровождаться расширением ОПЗ коллекторного перехода и уменьшением ширины базы (эффект Эрли) и, следовательно, уменьшением общего количества дырок, находящихся в базе.

    а б
    UКЭ =const, UБЭ – переменное UБЭ =const, UКЭ – переменное
    Рис. 6.15 Распределение неосновных носителей в базе pnp -транзистора при включении в схеме с ОЭ

    При этом градиент концентрации дырок в базе будут расти, что приводит к дальнейшему уменьшению их концентрации. Поэтому число рекомбинаций электронов и дырок в базе в единицу времени уменьшается (возрастает коэффициент переноса ). Так как электроны для рекомбинации приходят через базовый вывод, ток базы уменьшается и входные ВАХ смещаются вниз.

    При UБЭ =0 и отрицательном напряжении на коллекторе (Uкб< < 0) ток через эмиттерный переход равен нулю, в базе транзистора концентрация дырок меньше равновесной, так как у КП эта концентрация равна нулю, а у ЭП ее величина определяется равновесным значением. Через коллекторный переход протекает ток экстрагированных из коллектора дырок IКЭ 0.

    В базе, как и в pn -переходе при обратном смещении, процесс тепловой генерации будет преобладать над процессом рекомбинации. Генерированные электроны уходят из базы через базовый вывод, что означает наличие электрического тока, направленного в базу транзистора (т. В). Это – режим отсечки, он характеризуется сменой направления тока базы.






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.