Входные характеристики

Воспользуемся графиком входных характеристик транзистора ГТ308В, приведенном в справочнике [3]. Для удобства расчета, изменим масштаб графика, растянув значения оси ординат. Измененный график входных характеристик транзистора представлен на рисунке А.1.

Для нахождения h₁₂ графическим способом, понадобится еще одна ветвь графика – U_кэ = 4В. Она будет расположена справа от U_кэ = 2.5В. Для её построения, проведем вспомогательные линии параллельно оси абсцисс, на расстоянии 0.2, 0.6, 1.0 мА. На линиях получились отрезки между ветвями U_кэ = 0В и U_кэ = 2.5В. Длины этих отрезков делим на 2.5 и умножаем на 4. Полученные расстояния откладываем на линиях вправо от ветви U_кэ = 0В. Теперь у нас есть опорные точки по которым построим ветвь графика U_кэ = 4В.

Отметим рабочую точку на графике, для этого проведем вспомогательную прямую через 0.2 мА (200 мкА). Там, где прямая пересечет ветвь графика U_кэ = 4В, и будет находиться наша рабочая точка А. Теперь, используя формулу (3), можно определить h₁₂. Опустим перпендикуляр из точки А на ось абсцисс, получим значение U'_бэ = 0.2566В. На пересечении вспомогательной прямой и ветви графика U_кэ = 2.5В отметим точку В, из неё тоже опустим перпендикуляр на ось абсцисс. Получим значение U''_бэ = 0.195В. Значения U'_кэ и U''_кэ равны соответственно 2.5В и 4В. Подставим полученные данные в формулу (3):

h₁₂ = =0.041В

Найдем h₁₂ используя формулу (2). Приращение Δ U_бэ получим, произвольно отложив от рабочей точки на графике, отрезки примерно равной длинны. Из полученных точек С и D, отложим перпендикуляры на ось абсцисс и ось ординат, получим необходимые значения для нахождения Δ U_бэ и Δ I_б.

U''_бэ= 0.2733В, U'_бэ= 0.24В, I''_б = 0.245мА, I'_б = 0.15мА

Подставим полученные значения в формулу (2):

h₁₁ = =350.5 Ом